第3章 半导体光电检测器件及应用3分析.pptVIP

外加反向偏压 光敏二极管一般在负偏压情况下使用 外反偏压的施加，增加了耗尽层的宽度和结电场，电子—空穴在耗尽层复合机会少，提高光敏二极管的灵敏度。 增加了耗尽层的宽度，结电容减小，提高器件的响应频率。 但是，为了提高灵敏度及响应频率，却不能无限地加大反向偏压，因为它还受到PN结反向击穿电压等因素的限制。 选择一定厚度的I层，具有高速响应特性。 I层所起的作用: (1)为了取得较大的PN结击穿电压，必须选择高电阻率的基体材料，这样势必增加了串联电阻，使时间常数增大，影响管子的频率响应。 (2)而I层的存在，使击穿电压不再受到基体材料的限制，从而可选择低电阻率的基体材料。这样不但提高了击穿电压，还减少了串联电阻和时间常数。 (3)反偏下，耗尽层较无I层时要大得多，从而使结电容下降，提高了频率响应。 PIN管的最大特点是：频带宽，可达10GHz。 另一特点是：线性输出范围宽。 缺点: 由于I层的存在，管子的输出电流小， 一般多为零点几微安至数微安。 3、雪崩光敏二极管 当光敏二极管的PN结上加相当大的反向偏压时，在结区产生一个很高的电场，使进入场区的光生载流子获得足够的能量，通过碰撞使晶格原子电离，而产生新的电子—空穴对。 新的电子—空穴对在强电场的作用下分别向相反方向运动．在运动过程中，又有可能与原子碰撞再一次产生电子—空穴对。 只要电场