第4章 常用半导体器件原理2013分析.pptVIP

其上、下门限分别为： UoH =UZ+UD UoL =-(UZ+UD) 【例3】输出电压的限幅电路 可见，只要调节电位器动臂的位置，使充、放电时常数不等，则占空比可调。但振荡周期（频率）保持不变。 【例4】占空比D可调的方波振荡器 显然，上述电路由于T1=T2，T=2T1， 所以 D=0.5 如果要求占空比可调: D定义为高电平时间T1与周期T的比值， 即 如动臂向上移动时： T1T2，D0.5 【例5】锯齿波产生器（三角波转换为锯齿波） 作业 4－8(c,d,e)， 4-10， 4-13, 补充 ：其它二极管简介 一、变容二极管 如前所述，PN结加反向电压时，结上呈现势垒电容，该电容随反向电压增大而减小。利用这一特性制作的二极管，称为变容二极管。它的电路符号如图所示。它的主要参数有：变容指数、结电容的压控范围及允许的最大反向电压等。 二、肖特基二极管 当金属与N型半导体接触时，在其交界面处会形成势垒区，利用该势垒制作的二极管，称为肖特基二极管或表面势垒二极管。它的原理结构图和对应的电路符号如图所示。 N 型 半导体 ( a ) 金属 ( b ) + + + + + + + + + +