1-1半导体物理基础资料.ppt

其中，r是电子空穴的复合几率，与n和p无关。 热平衡时：G0=R0=rn0p0=rni2 复合率减去产生率，则为非平衡载流子(过剩载流子)的净复合率。 Ud=R-G =r（np-n0p0）≈r（ n0+ p 0 ）+r（ ⊿p ）2 即 Ud≈r（ n0+ p 0 ）+r（⊿p ）2 间接复合：通过杂质或缺陷能级Et而进行的复合。 俘获与发射： 俘获电子 发射电子 俘获空穴 发射空穴 电子俘获率： 电子产生率： 空穴俘获率： 空穴发射率： Rn=rnn（Nt-nt） Gn=s-nt Rp=rppnt Gp=s+（ Nt-nt ） rn：电子俘获系数 s- ：电子激发几率 rp：空穴俘获系数 s+ ：空穴激发几率 非平衡载流子的净复合率U U=Rn-Gn=Rp-Gp 可见： （1）在热平衡时，np=n0p0 U=0 （2）在非平衡时，npn0p0 U0 半导体的主要散射机构 电离杂质散射 晶格振动的散射 晶格振动散射几率