绝缘陶瓷剖析.ppt

莫来石瓷的性能 熔点：1830℃ 热膨胀系数：(4.4~56)×10-6/℃ 热导率：3.8~6.07(w/m.k) 弹性模量：220GPa 泊松比：0.28 介电常数：6.3~7.3 绝缘电阻率：大于1013(Ω·cm) 莫氏硬度：7.5 莫来石瓷的用途 莫来石瓷具有低的介电常数，低的电气绝缘性能，因此它是现代新型计算机元器件封装的理想材料。它在快速电路中取代氧化铝瓷封装管壳和基板材料，可使信号传输延时下降17%~20%；它还用于大规模和超大规模集成电路高密度封装的多层陶瓷基板，黑色莫来石瓷为某些光电子器件提供了理想的配套材料。 六 氮化物绝缘陶瓷 AlN绝缘陶瓷 氮化铝陶瓷具有较小的介电常数，高的机械强度，热膨胀系数为4.5×10-6℃-1，热导率的理论值可达320W/(m·K),但实际值得的氮化铝热导率测定值为200 W/(m·K)左右。 常用的添加剂有Y2O3,CaO,YF3等，含CaO的氮化铝材料，烧结温度较低，热导率为100 W/(m·K)。在非氧化气氛下进行热处理后，热导率可达219 W/(m·K)。 添加Y2O3可以改善导热率、耐热性及机械强度。 氮化物绝缘陶瓷 BN绝缘瓷 具有良好的导热性能，立方BN多晶材料导热率超过200 W/(m·K)。 六方和三方BN都具有层状结构。六方BN具有良好的导热性、机械加工性能、高频介电性能，无毒，导热性能随温度变化小的优点。 滑石瓷的烧结措施 配方改进：引入外加剂提高液相粘度，降低烧结温度，扩大烧结范围，使瓷坯高温不易变形。　 加入2%~3%氧化锌，烧结范围扩大35℃左右，促进细晶结构，提高机械强度。 加入5%~10%碳酸钡使液相出现温度降低到1230℃。 加入小于4%氧化锆，扩大烧结范围，抑制晶粒长大。 加长石扩大烧结范围，但要避免引入碱金属。 滑石瓷的烧结措施 气氛：滑石瓷烧结时无特别要求，但当坯料中含较多铁或钛时，应分别考虑用还原或氧化气氛。 冷却速度：在700~550℃，要控制冷却速度，以免玻璃相中残余应力，以及晶型未充分转化而造成开裂，老化等弊端。 2、镁橄榄石瓷 主要特点 1、介电损耗低，而且随频率的变小而变小，在微波范围内也不增加。 2、比体积电阻很高，并且在高温下仍然具有相当高的数值。当温度升高到很高的1000℃以上时，仍然保持在104Ω·m以上，电性能比滑石瓷优良。 3、热膨胀系数高，热稳定性较差。 4、热膨胀系数与某些玻璃、合金(如Ni-Fe合金)及金属钛的热膨胀系数相近似，因此，便于金属—陶瓷的封接，广泛用于制造电真空器件。 镁橄榄石瓷配方组成及性能 镁橄榄石瓷的主要工艺特点 1、坯料可塑性好，便于成型，烧结温度约1250～1350℃，烧结温度范围宽约60℃以上。 2、改善坯料的加工性能、降低烧结温度，配方中常加入粘土或加入双硼酸钡(BaO ·2B2O3)、氧化锌、碳酸钡、碳酸钙等外加剂，以氧化钡、氧化硼的降温能力最强，以下顺序是氧化锌、碳酸钡及碳酸钙； 3、降低(tanδ)也是氧化钡、氧化硼最强，其顺序是碳酸钙、碳酸钡及氧化锌。 3、镁尖晶石瓷 典型尖晶石瓷的性能如下： 密度：2.7~3.6g/cm3 介电常数：7.5左右 比热：836 KJ/kg(25～100℃) 　　　　100.3 KJ/kg(400℃) 　　　　58.5 KJ/kg(1000℃) 线膨胀系数：（5.93～8.00）×10-6/℃ 介电损耗：（5～8）×10-4(1MHz) 镁尖晶石瓷是一种介质损耗低于滑石瓷，而介电常数稍高，化学稳定性良好的介电陶瓷。在电子工业中，它是低压高频电容器、感应线圈骨架及电子管插座等的良好材料。 镁铝尖晶石瓷制造工艺 烧成较困难: 镁尖晶石的主晶相为MgO ·Al2O3,理论组成点与最低共熔点非常接近。 人工合成尖晶石熔块: 1450~1600℃，以熔块为主要成分，再加少量的粘土及B2O3，CaF2，Cr2O3，SiO2等添加剂，即可降低烧成温度, 约为1360℃左右,避开了最低共熔点。 4、堇青石绝缘瓷 堇青石绝缘瓷的主晶相为2MgO·2Al2O3·5SiO2。由于晶体结构中的离子排列不紧密，晶格内有较大的空腔，因而它的电性能较差，介质损耗高，不适合于高频场合。 堇青石绝缘瓷线膨胀系数在室温至700℃平均为(1～2)×10-6/℃，热稳定性好。因此，它常用于对电气性能要求不高，但需要耐热冲击的地方，如加热器底板、热电偶绝缘材料。 它的耐酸性很差，不能用于有酸蚀的场所。 堇青石绝缘瓷配方组成 堇青石瓷组成范围很宽，越靠近堇青石的理论组成点，材料的线膨胀系数越低。 堇青石绝缘瓷制造工艺 烧结范围窄:堇青石绝缘瓷制造中主要问题。当在1300～1400℃时，