第2讲集成电路中的元器件预案.pptx

第二讲集成电路中的元器件;主要内容;有源器件－MOS管;MOS管结构特点;MOS管的几何参数;MOS管的表示符号;MOS管可分为增强型与耗尽型两类： 增强型是指在栅源电压VGS为0时没有导电沟道，而必须依靠栅源电压的作用，才能形成感生沟道的MOS晶体管； 耗尽型是指即使在栅源电压VGS为0时MOS晶体管也存在导电沟道。 这两类MOS管的基本工作原理一致，都是利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小 。;当栅源电压VGS=0时，源漏之间的电阻主要为PN结的反偏电阻，基本上无电流流过，没有形成导电沟道。 当栅源之间加上正向电压，栅极附近的p型衬底中的空穴被排斥，形成耗尽层，同时p型衬底中的少子（电子）被吸引到衬底表面。 当正的栅源电压达到一定数值时，这些电子在栅极附近的p型硅表面便形成了一个n型薄层，称为反型层。栅源电压VGS正得愈多，沟道电阻将愈小。 感生沟道(反型层)形成后，在正的漏极电压作用下，将产生漏极电流ID。在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压叫做开启电压Vth。 注意：与双极型晶体管相比，一个MOS器件即使在无电流流过时也可能是开通的。 ;当VGS≥Vth时，外加较小的VDS，ID将随VDS上升迅速增大，此时为线性区，但由于沟道存在电位梯度，因此沟道厚度是不均匀的。 当VDS增大到一定数值（例如VGD=VGS，VDS=Vth），沟道被夹