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材料物理（材料科学基础） 物理科学与技术学院 李强 2007.1st Term §3.2.6 实际晶体结构中的位错 只讨论fcc晶体中的位错。 实际晶体中位错的伯格斯矢量 根据Burgers矢量的特征，晶体中的位错分为： 全位错：伯格斯矢量的长度等于沿滑移方向原子间距的整数 倍（如果是一倍，又称为单位矢量）。 不全位错：伯格斯矢量的长度不等于沿滑移方向原子间距 的整数倍。 §3.2.6 实际晶体结构中的位错 堆垛层错：这里只讨论fcc晶体 fcc晶体的密排面{111}面的正常堆垛顺序是：ABCABCABC… A、B、C的规定是任意的，但它们的顺序是一定的。 我们将正常的堆垛顺序AB，BC，CA标为△ 将不正常的堆垛顺序BA，CB，AC标为▽ §3.2.6 实际晶体结构中的位错 fcc晶体中堆垛层错的形成 §3.2.6 实际晶体结构中的位错 fcc晶体中的不全位错： 如果堆垛层错只是发生在部分区域，那么层错的边缘则将存在位错(不全位错)。 §3.2.6 实际晶体结构中的位错 Shockley不全位错： §3.2.6 实际晶体结构中的位错 Frank不全位错： §3.2.6 实际晶体结构中的位错 Frank不全位错： §3.2.6 实际晶体结构中的位错 位错反应： 位错可以发生分解或合并，但必须满足下面两个条才能发生： §3.2.6 实际晶体结构中的位错 面心立方中的位错： §3.2.6 实际晶体结构中的位错 面心立方中的位错： §3.2.6 实际晶体结构中的位错 面心立方中的位错： §3.2.6 实际晶体结构中的位错 面心立方中的位错： §3.2.6 实际晶体结构中的位错 面心立方中的位错： §3.2.6 实际晶体结构中的位错 面心立方中的位错： §3.3 表面和界面 界 面 §3.3.1 表面 晶体表面结构与晶体内部不同，由于表面是原子排列的终止面，另一侧无固体中原子的键合，其配位数少于晶体内部，即存在断键，所以表面原子处于高能态，具有正的表面能。 表面能：单位表面积上的能量，?，单位：J.m-2 表面能?等于单位长度表面边界上的张力(收缩力)。 (请推导) §3.3.1 表面 断键模型： §3.3.2 晶界 多晶体由许多晶粒组成，每个晶粒组成是一个小单晶。相邻的晶粒位向不同，其交界面称为晶界。 多晶体中，每个晶粒内部原子也并非十分整齐，会出现位向差极小的亚结构，亚结构之间的交界为亚晶界。 §3.3.2 晶界 小角度晶界 §3.3.2 晶界 小角度晶界 倾斜晶界 §3.3.2 晶界 小角度晶界 倾斜晶界 §3.3.2 晶界 小角度晶界 扭折晶界 §3.3.2 晶界 大角度晶界 §3.3.2 晶界 孪晶界 §3.3.2 晶界 孪晶界 §3.3.2 晶界 各种界面的界面能 §3.3.2 晶界 晶界的平衡 §3.3.3 相界 相界：不同相(相: 具有特定的结构和成分组成)之间 的界面。 相界按种类分包括： 共格相界 半共格相界 不共格相界 §3.3.3 相界 §3.3.3 相界 相界能包括两部分：错配能(弹性畸变能)和化学能 习题讲解 习题讲解 习题讲解 习题讲解 习题讲解 下面简单估算半共格相界的错配能： D 错配度： 半共格相界通过一系列的刃位错来调整，则平均两个刃位错的间距D＝a? / ?。 请估算半共格相界的错配能。 1、如图所示，两个相互平行的同号刃位错A，B。如果不考虑其它位错的应力场，B位错将怎样移动？如果A，B是平行的异号位错，情况又怎样？ B A 3 nm x y 0 4 nm *Xinjiang University Materials Science and Engineering, Dr. Q. Li 新疆大学 *Xinjiang University Materials Science and Engineering, Dr. Q. Li 全位错的伯格斯矢量一般沿密排方向。参见书P107表3.1。 我们前面所讲的理论均适用于全位错。 下面我们主要介绍不全位错。不全位错经常伴随形成堆垛层错。 堆垛层错分为两种： △ △ △ △△ △ △ △ 抽出型层错： ABCABC…… ABCBC…… △ △ ▽ △ → 插入型层错： ABCABC…… ABACABC…… △▽▽△ → A 相当于两个抽出型层错。 [111] [112] [110] ⊙ [112] [110] [110] [111] A B C B C A B C A [112] 1 6 ABCABC…… ABCBCA…… △ △ ▽ △△ → 抽出型层错 A B C A △ △ B C B A