硅表面直接生长十八基硅烷小分子自组装单层抗蚀剂的亚稳态氦原子光刻技术.docxVIP

 PAGE \* MERGEFORMAT 128 电子显微学报 J. Chin. Electr. Microsc. Soc. 第29卷 第2期 王中平等：硅表面直接生长十八烷基硅烷小分子自组装单层抗蚀剂的亚稳态氦原子光刻技术  PAGE \* MERGEFORMAT 129 电子显微学报 第29卷第2期2010年4月 Vol-29,No. 22010-04 Journal of Chinese Electron Microscopy Society 文章编号：1000~6281 (2010)020123-06 硅表面直接生长十八烷基硅烷小分子自组装单层抗蚀剂的亚稳态氦原子光刻技术 王中平口，张增明、仓桥光纪3,铃木拓3, 丁泽军2,山内泰3 (中国科学技术大学1.物理实验教学中心，2.物理系，安徽合肥230026;3.国家材料科学研究所（NIMS)，日本茨城县筑波市，305-0047) 摘要：选取不同尺寸和形状的物理掩模，以硅表面直接生长的十八烷基硅烷小分子自组装单分子层作为抗蚀剂，硅（100)为衬底，亚稳态氦原子作为曝光源，利用湿法化学刻蚀方法在衬底上制备具有纳米尺寸分辨率的硅结构图形。基于扫描电子显微镜、原子力显微镜的表征结果表明：原子光刻技术可以把具有纳米尺度分辨率的正负图形通过化学湿法刻蚀技术很好地传递到硅片衬底上，特征边缘分辨率达到20 nm左右，具有较高的可信度和可重复性。正负囷形相互转化的临界曝光原子剂量约为5 X 1014 atoms cm “ 2,曝光时间约为20 miri。关键词：原子光刻；掩模；自组装单分子层 中图分类号：0484;TG115.21+5.7;TN16文献标识码：A自20世纪60年代以来,集成电路技术得到迅猛发展，集成规模越来越大，集成效率越来越高。传 统光刻技术及电子束光刻技术是半导体工业中常用的制备工艺。近年来，为提高集成度，在追求最小特征尺寸和极限分辨率的情况下，对仪器设备的要求越来越苛刻，传统光刻技术正面临越来越严峻的挑战。受光学衍射极限的限制，提高光子能量是降低特征尺寸的唯一途径。当今半导体工业中，光刻技术的曝光光源巳从可见光波段发展到极深紫外光波段，也提高了制备短波光学元件的材料及工艺要求。 在电子束光刻技术中，由于空间电荷效应的影响，特征尺寸的缩小是以昂贵设备为代价来实现的⑴。 在这些情况下,作为一种潜在光刻技术的原子光刻技术有望成为下一代集成电路和微型器件加工的新型纳米结构制造技术。 根据采用的原子种类及其工作原理，原子光刻技术可分为两大类：原子直沉积技术和中性原子光刻技术。原子直沉积技术的主要特点是：利用金属原子在衬底表面直接制备相关的微纳米结构，主要的金属原子为铬、铁等[2]。自组装单分子层抗烛剂 辅助的中性原子光刻技术的主要特点是：利用中性原子的内能或强化学活性与衬底表层生长的单分子层作用来改变曝光区域的化学或物理性质，再利用湿法化学刻蚀技术或者反应性离子刻烛技术把相关 微纳米结构图形转印到衬底上。这类原子有：碱金 收稿曰期=200909-22 ；修订日期：2009-1209 基金项目：国家自然科学基金面上项目. 属、碱土金属原子[3]、惰性气体原子（氦、氖、氩）[4-16]。以亚稳态氮原子（He)为例：He?本身呈电中性，不会引起空间电荷效应，由于其德布罗意波长仅几个pm，衍射效应可忽略不计，这就意味着在狭小区域内可以使用超大曝光剂量。He的寿命长达8 000 S，所携带的内能为19.8 eV。处于亚稳态的氦原子可以确定的能量在真空中穿行而不和别的物质发生化学反应。但当其撞击表面时，破坏了量子力学选择定则，将从亚稳态返回基态并释放能量。该能量代替光刻技术中沉积光子能量作用到抗蚀剂表面，断开分子中的化学键，改变曝光区域的化学、物理性质，从而实现中性原子光刻。 本文采用抗蚀剂辅助的原子光刻技术手段，以He ?作为曝光原子源，以硅表面直接生长的十八烷基硅烷自组装单分子层为抗烛剂，通过湿法化学刻蚀方法把物理掩膜的图形转移到硅衬底的表面上。并通过改进掩膜支撑模式，来提高空间分辨率。大量实-验证，在获得硅结构图形高度约30 nm的同时，可将特征边缘分辨率达到~20 nm,且具有较高的再现性。 1实验 实验装置如图1示，其主体包括两大部分：曝光源腔和样品腔，均与真空系统相连。曝光源腔内的真空度可达3 x 10Pa，样品腔的真空度为4 xlO—6 Pa。 作者简介：王中平（1976 -)男(’汉族），山.东人，副教授. Ta sampleholder T.M.P(1 000 1/s) T.M.P(250 1/s) 图1实验装置图。 Fig. 1