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ICP Inductively coupled plasma 感应耦合等离子刻蚀机 PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 等离子体增强化学气相沉积 PSI Pound per Square inch 磅平方英寸 磊晶 Epitaxy 磊晶 Substrate 基板（衬底） Sapphire 蓝宝石 Doping 掺杂 Layer 层 MOCVD 金属有机物化学气相沉积 Reactor 反应 Structure 结构 前工艺 Surface 表面 Photolirhography 光刻 Etching 蚀刻 Evaporation 蒸镀 Lift-off 剥离 Dry etch 干法刻蚀 Wet etch 湿法蚀刻 前工艺 Metal