模拟电子技术基础第5章重点.pptVIP

第5章 场效应管的分类； 金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET）的结构、工作原理、输出特性曲线和转移特性曲线，以及各参数； 场效应管放大电路的结构及分析方法； 场效应管的特点（主要与BJT相比较而言） 第5章 场效应管放大电路 FET的特点： FET的分类： 根据结构不同，可分为： 5.1 金属－氧化物－半导体场效应管 ② 漏源电压vDS对漏极电流id的控制作用 ② 漏源电压vDS对漏极电流id的控制作用 ② 漏源电压vDS对漏极电流id的控制作用 ② 漏源电压vDS对漏极电流id的控制作用 总结N沟道增强型MOSFET的工作原理： 二. N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当vGS=0时，就有沟道，加入vDS，就有iD。 当vGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当vGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 各种场效应管的符号及特性 各种场效应管的符号及特性 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性失真项 当，vgs 2(VGSQ- VT )时， 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 ?=0时 高频小信号模型 ??0时 3. 小信号模型分析 解：例5.2.2的直流分析已求得： （2）放大电路分析（例5.2.5） s 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2