晶闸管扩散工艺资料.ppt

掺杂 掺杂是将所需要的杂质，以一定的方式加入到半导体晶片内，并使其在晶 片中的数量和分布符合预定的要求，改变材料的导电能力。 用途：利用掺杂技术可以制作PN结、欧姆接触区等 掺杂技术主要有： 1. 热扩散工艺：利用杂质在高温(800 ℃) 下由高浓度区向低浓度区的扩散来进行硅的掺杂。 2. 离子注入：将杂质转换为高能离子的形式，直接注入进硅， 将杂质转换为高能离子的形式，直接注入到硅体内。 3. 合金法 4. 中子嬗变法 常规的扩散系统与扩散工艺 扩散系统 1、气态源扩散 气态杂质首先在硅片表面进行化学反应，生成掺杂氧化层，杂质再 由氧化层向硅中扩散。 气态杂质源：B2H6 / PH3 / AsH3 运载/ 稀释气体：氮气(N2)、氩气(Ar2) 反应所需气体：氧气(O2) 扩散系统 3、固态源扩散 固态杂质源：P2O5; As2O3; BN; Al/Ga 运载/ 稀释气体：氮气(N2); 氩气(Ar2) 固态源为杂质氧化物或其他化合物。 固体中的热扩散现象 1、扩散机构：间隙式扩散和替位式扩散 固体中的热扩散现象 2. 扩散现象的本质 粒子流密度: 在单位时间内通过单位面积的粒子个数(1/cm2?s) 流密度由浓度差引起的—扩散运动 lnD~1/T的关系 扩散主要参数 1) 表面处浓度及次表面浓度 表面浓度是扩散层表面的杂质浓度 次表面浓度是硅片几何表面内某一地方的杂质浓度 这两个杂质浓度可以通过计算平均电导率， 查依尔芬曲线得到 2) 杂质剂量Q0 Q0指扩入单位面积硅中的杂质总数(cm-2)， 3) 方块电阻R□( 薄层电阻RS ) 对正方形扩散层,长和宽分别为一个单位长度，结深为xj的扩散层电阻,与扩散入硅中的杂质总量Q成反比 扩散主要参数 4) 结深xj 若扩散杂质与本底杂质导电类型相反，则在C(x)等于衬底杂质浓度（CB）处就形成ＰＮ结，它到表面的距离即为结深。 扩散时间估算方式 杂质分布及其与实际扩散行为的差异 杂质浓度分布因杂质的扩散方式不同而不同。在微电 子器件制造中的扩散主要有以下几种方式： 1. 恒定表面源扩散：在扩散过程中，硅片表面的杂质浓度C始终保持不变。 2. 有限表面源扩散：在扩散过程中，杂质源仅限于扩散前淀积到表面薄层内的杂质，这些杂质将全部扩入硅片内部。 3. 两步扩散：第一步采用恒定表面源扩散方式，第二步采用有限表面源扩散方式。 4. 固-固扩散 恒定表面源扩散 扩散后杂质浓度分布 为余误差函数分布 有限表面源扩散 有限表面源扩散在硅片内形成的杂质分布为高斯分布。 杂质浓度梯度随时间或温度的增加而减小( 曲线变缓) 两步扩散 第一步：采用恒定表面源扩散方式，在硅片表面淀积一定数量的杂 质原子，称预扩散或预沉积。 特征：温度较低，时间较短。 第二步：采用有限表面源扩散方式，把淀积好的硅片放入较高温的 炉中推进，使表面浓度和结深达到要求为止。称再分布或 主扩散、推进。 特征：温度较高，时间较长。 能很好地解决Cs 、xj 与扩散温度、时间之间的矛盾。可以控制表面浓度和结深。（较高Cs 、较深xj） 固- 固扩散： 低温下利用CVD 技术或胶体涂布的方法，在硅片表面淀积一层含有一定杂质浓度的固体薄膜，然后以此为掺杂剂，在高温下进行扩散，从而达到掺杂的目的。 只要适当地调节氧化层中的杂质浓度，通过一次扩散就可以获得任意低的表面杂质浓度,克服了两步扩散的缺点。 理论分布与实际分布的差异 实际扩散是比较复杂的，不一定严格遵守某种形式的扩散，但往往是比较接近于某种分布，因此，可在足够精确的程度上采用某种分布来近似分析。同时，由于扩散模型本身作了理想化的假设，并忽略了实际扩散过程中的各种效应。因此，实际分布通常偏离理论分布。 1 、模型的偏离——模型的假设 2 、场助效应——内建电场的作用 3 、荷电空位效应——缺陷对杂质扩散的影响 4 、陷落效应——杂质的相互作用 5 、氧化对扩散的影响——氧化增强扩散和杂质分凝 6 、横向扩散/或二维扩散——扩散窗口的理想化 理论分