第一章天线基础知识.ppt

* * * * * * 归一化阵因子 是 的周期函数，周期为 。在 区间内，函数值为1发生0和 处，对应着方向图的主瓣或栅瓣；由于阵因子分母随 的变化比分子慢得多，因此阵因子有N-2个函数值小于1的极大值，发生在分子为1条件下；有N-1个零点，发生在分子为零而分母不为零时。 要让单元天线的最大辐射方向尽量与阵因子一致，且单元天线多采用弱方向性天线，均匀直线阵的方向性调控主要通过调控阵因子实现。 均匀直线阵 * 特点：（1） 时是阵因子的最大值， 有N-2个极大值，N-1个零点； （2）N越大，方向性越强，但副瓣越多。 均匀直线阵归一化因子 随N变化曲线 * （1）因为 ，则 ； 的这个变化范围称为可视区； （2）只有可视区中 所对应 才是均匀直线 阵的阵因子，可视区的大小与d相关，d越大， 可视区越大。 注意 （3）可视区内的方向图形状与d和 同时有关，d与 的适当配合才能获得良好的阵因子方向图。 * 1.6 无限大理想导电反射面对天线 性能的影响 前面讨论的问题都是假设天线周围没有金属反射面，即天线位于自由空间。 实际中天线大多架设在地面，在电波频率较低、投射角较小的情况下可被看作良导体。 有时为改善天线的方向性，特意增加金属反射面或反射网。地面或金属反射面被认为是无限大理想导电平面时，可用镜像法求解。 * 镜像法 根据镜像原理，讨论一个电流元在无限大理想导电平面上的辐射场时，应满足在该理想导电平面上的切向电场处处为零的边界条件。 可在导电平面的另一侧设置一镜像电流元，其作用就是代替导电平面上的感应电流，使得真实电流元和镜像电流元的合成场在理想导电平面上的切向处处为零。 镜像电流元不位于求解空间内，因而在真实电流元所处的上半空间，一个电流元在无限大理想导电平面上的辐射场就可以由真实电流元与镜像电流元的合成场得到。 镜像原理 一个工作于理想导电地上方的天线将在每一个观察方向上产生两条辐射线，一条由天线直接产生，另一条经由地面反射产生，后者满足几何光学反射定律，则用一个镜像天线可以作为经由地面反射的那条辐射线等效源。 如下图示，此时上半空间任一点场强可以认为是直接波 E1 与来自镜像的地面反射波 E2 之合成，且认为 E1 与 E2 的方向一致。因此，合成场为直接波与反射波的标量和，即 直接波 反射波 r1 r2 地面 E1 E2 式中R 为地面反射系数。 镜像原理 由镜像原理，也就是说可以用假想的电荷或电流来代替原来的边界，只要这些电荷或电流和区域中原有的电荷或电流产生的场满足原来的边界条件。但在讨论一个电流元在无限大理想导电平面上的辐射场时，必须满足在给定理想导电平面上的切向电场处处为零的条件。 设时变电流元 I·l 位于无限大的理想导电平面附近，且垂直于该平面，如左图示。为了求解这种时变电磁场的边值问题，可以采用镜像原理。 ? ? I·l ??? 为此，在镜像位置放置一个镜像电流元 ，且令 ， 。以镜像电流元代替边界的影响以后，整个空间变为媒质参数为?, ? 的均匀无限大空间。 因为地面可能并且经常位于天线的近场中，所以必须使用 E0 r0 E+ ? ? ??? E Il ? ? ? ? Il Il 可见，电流元近场径向分量表达式中含cosθ因子，θ分量表达式中含有sinθ因子，其中θ是电流元方向与场点方向间的夹角。 假设θ1和θ2分别为平面PP’上一点到实际源和镜像源之间的夹角，则可进行实际源和镜像源径向电场在导电平面的切向合成电场及其在θ方向电场在导电平面的切向合成电场。 这样，地面对天线的影响可以归结为一个非均匀二元天线阵的求解。 镜像原理 由此可对正径向和负镜像的情况进行分析。 * 水平电流元的镜像为理想导电平面另一侧对称位置处的等幅反向电流元，称为负镜像； 电流元的镜像 垂直电流元的镜像为理想导电平面另一侧对称位置处的等幅同向电流元，称为正镜像； 倾斜电流元的镜像与水平电流元的镜像相同，也为对称位置处的负镜像。 镜像法只在真实电流元所处的半空间内有效。 * 水平线天线的镜像一定为负镜像；垂直对称线天线的镜像一定为正镜像。 真实天线的镜像 * 至于垂直架设的驻波单导线，其镜像的正负视单导线的长度l而定。 垂直驻波单导线镜像 对于 的驻波