IGBT驱动讲述.pptxVIP

IGBT驱动;IGBT驱动简介 信号传输技术 驱动电路拓扑 驱动隔离电源 Vcesat检测 门极钳位 有源钳位 软关断 ;IGBT驱动可包括以下几部分： 基本功能：用来控制IGBT的门极以实现IGBT的开通和关断。IGBT门极呈现的是容性特征，需要储备或者释放一定数量的电荷量才能开通或者关断流过集电极的电流。 保护功能：为了避免IGBT在正常工作的过程中不受到损坏，IGBT驱动也需要提供短路保护，Vce过压保护，门极欠压保护等功能。 电气隔离：由于驱动器控制的是IGBT的门极，副边电路参考的电位都是IGBT的发射极，处于较高电位，因此IGBT驱动电路的设计需要满足安规要求---电气间隙，爬电距离。 ;IGBT开通 T1开通，T2关断。+15V电源通过Rg,on给IGBT门极进行充电 当IGBT门极电压到达UGE,th之后，集电极电流开始增长；;IGBT关断 T1关断，T2开通。IGBT经由Rg,off给-10V电压源放电。 ;IGBT开关要素 门极电压电平 门极电阻 门极电荷量 门极杂散电感 ;IGBT开关要素 门极电压电平—开通过程 需要在IGBT门极施加正电平电压源使IGBT处于导通饱和区 通常推荐采用+15V 导通饱和压降与门极电压电平成反比 短路电流与门极电压成正比 ;IGBT开关要素 门极电压电平—关断过程 需要在IGBT门极施加负电平电压源 通常推荐使用-8V…-10V电平的负电压源，避免半桥拓扑IGBT发生直通现象 有缘米勒钳位---Active Miller Clamping ;IGBT开关要素 门极电阻—强烈影响着IGBT开关过程时的主物理量 开通电阻Rg,on 越小 IGBT开关速度(di/dt)越快 开通损耗越低 间接影响二极管的反向恢复电流斜率 关断电阻Rg,off 越大 IGBT关断速度(di/dt)越慢 电压尖峰越小，IGBT损耗大 存在桥臂直通的可能性 电阻的使用推荐在曲线范围内 开关电阻的选配可通过双脉冲测试来验证 ;IGBT开关要素 门极电阻配置方法 二极管需选择快速导通且正向压降低的器件 ;信号传输技术： 电平转换器：单一电平控制技术来对IGBT门极进行开关； 光耦：采用光隔离技术。只能起到信号隔离作用。需要外部提供隔离电源。 脉冲变压器：采用磁隔离技术，信号和电源均采用变压器进行传输。 光纤传输：满足任何电压等级的应用，需要给光纤提供一路稳压并带隔离的直流电源。可实现远距离信号传输。 ;电平转换器： 电平转换器： 无任何隔离措施，适用于600V以下IGBT模块 采用单一电平控制技术 ;光耦 原方/副方之间采用光耦技术进行隔离 隔离电压等级有限 本身不带DC/DC 电源 传输时延较大，不适合直接并联应用 传输延迟时间误差会影响死区时间的设置 导致变流器输出电流的失真 这个参数随寿命的变化而变化 信号单向传输 信号传输(uC?IGBT门极)单向传输 故障信号(IGBT门极?uC)单向反馈 光耦产品目前多使用在Vce=1.2kV场合 光耦技术可以实现更高电压等级的应用 因为电气间隙的原因需要更大封装 目前市场上暂时没有Vce1.5kV的光耦 ;脉冲变压器 原方/副方之间采用脉冲变压器技术进行隔离 脉冲变压器技术，不存在磁饱和问题 可为全电压等级的IGBT应用提供隔离技术 DC/DC 电源 采用变压器技术进行能量传送 传输时延较小，适合直接并联应用 信号可实现双向传输 信号传输，故障反馈信号可通过同一变压器 进行传输 ;光纤技术 信号的收发通过光纤传输 光纤收发需要成对出现 可实现远距离传输，满足全电压应用场合 采用光信号传输技术，抗干扰能力强 本身不带DC/DC 电源 传输时延较大，不适合直接并联应用 ;信号传输技术;推动级电路 电压源推动级---主流驱动技术都采用电压源型推动级 H桥拓扑 共射极电路 MOSFET推挽电路 N沟道MOSFET推挽电路 电流源推动级 ;H桥电路 单一电平电压源，无须负电压；需要外部提供一个稳压的+16V电源。 控制复杂，需要控制H桥中的所有晶体管； 门极峰值电流有限，某些应用场合需要增加电流放大电路； 功率器件的上桥对应的驱动都需要独立的隔离电源； ;共射极电路 输出电压与输入电压之间的关系：Uin-Uout0.7V?T1导通; Uout-Uin0.7V?T2导通 控制简单； 可通过并联实现更大门极峰值电流的需求； 自身损耗大，在开关频率高的情况下发热明显 三极管速度相对MOSFET而言偏慢;MOSFET推挽电路 数字电路中常用的输出推动级 可实现门极电阻可选功能，从而控制IGBT开关时的di/dt(dv/dt) 控制简单； 轨到轨控制，推动级速度快； 推动级器件本身的损耗小；;N沟道MOSFET推挽电路 轨到轨正逻辑控制；推动级速度快； 推动级器件本身的损耗