MSVC介绍讲述.pptVIP

磁控电抗器式动态无功补偿(滤波)成套装置动态无功补偿装置的种类： 6. SVG型自动无功发生器（STATCOM-静止同步补偿器）： 应用瞬时无功理论，将电网电源经过降压变压器，引入可关断大功率电力电子器件（如IGBT）组成的自换向桥式整流－逆变电路，经过电抗器滤波，再反馈到电网上。调节SVG的输出电压电流的幅值和相位，可以实现输出容性或感性的无功功率。具有：速度更快，取消电容器和电抗器等器件，成本降低。但是，自2005年以来，多台产品存在：调试不成功，运行不稳定和抗冲击性负荷和谐波干扰能力差等问题，处在技术成熟期。 磁控电抗器（MCR）专利技术介绍9、原理结构示意图： 磁控电抗器式动态无功补偿(滤波)成套装置 服务模式： 现场测试 提供技术方案 交流讨论、方案改进 双方认可 签订技术协议、供货合同 生产准备 现场指导安装、调试 质量保证 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（外形图1）： 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（外形图2）： 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（外形图3）： 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（外形图4）： 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（外形图5）： 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（外形图6）： 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（外形图7）： 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（图片1）： 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（图片2）： 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（图片3）： 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（图片4）： 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（图片5）： 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（图片6）： 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（图片7）： 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（图片8）： 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（图片9）： 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利技术 磁控电抗器（图片10）： 磁控电抗器（MCR）专利技术介绍9、结构示意图解释4： 由此，实现了通过改变可控硅 导通角а，可以平滑调节电抗器的容量；并且，可以根据设定铁芯的励磁磁化程度，以满足电抗器对调节速度的要求。 磁控电抗器（MCR）专利技术介绍10、伏安特性： 磁控电抗器伏安特性如图5所示，可见，在一定控制导通角（等于180度－触发角）下，磁控电抗器伏安特性近似线性。 图5磁控电抗器伏安特性 磁控电抗器（MCR）专利技术介绍11、控制特性： 磁控电抗器输出容量随控制角增加而减少。 容量为连续可调 6 磁控电抗器控制特性 磁控电抗器（MCR）专利技术介绍12、谐波特性： 1、三相磁控电抗器的最大3次谐波电流为额定基波电流的0.02%左右。 2、最大5次谐波电流为额定基波电流的0.7%左右， 3、7次谐波电流为0.3%左右。 图4磁控电抗器谐波电流分布 磁控电抗器（MCR）专利技术介绍13、响应时间： 从空载到额定或从额定到空载容量的电流过渡过程波形，时间约为0.2秒。 图7 磁控电抗器调节过渡过程波形 磁控电抗器（MCR）专利技术14、与其他几种技术的比较： 目前，可控电抗器主要有以下几种类型：调匝式、调气隙式、晶闸管控制电抗器式（TCR）、高短路阻抗变压器式（TCT）、磁阀式、裂芯式、磁控式等，它们各有自己的优点和不足。 介绍、比较如下： 磁控电抗器（MCR）专利技术14、与调匝式技术的比较： 调匝式可控电抗器： 是通过断路器或接触器，投切抽头，改变匝数，实现电抗值可调。这种调节，简单易行，但达不到连续可调的要求。 磁控电抗器（MCR）专利技术14、与调气隙式技术的比较： 调气隙式可控电抗器： 是通过精密机械传动方式，连续改变磁路中气隙的长度，实现电抗的连续可调。存在着响应速度慢、噪声大、易发生机械失灵等问题。 磁控电抗器（MCR）专利技术14、与TCR技术的比较： 晶闸管控制电抗器(TCR)： 是通过控制晶闸管的导通角和导通时间，以控制流过电抗