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半导体器件基础FET概要
模拟电路基础;第一章 常用半导体器件;第一章 常用半导体器件;第一章 常用半导体器件;第一章 常用半导体器件;第一章 常用半导体器件;3. 场效应晶体管（FET）; 场效应管依靠半导体中某种类型载流子的沟道导电，它通过电场去控制导电沟道的形状，从而控制其导电性。
场效应管是单极型晶体管，具有输入电阻高、噪声小、抗辐射能力强、可低电压工作、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。;3.1 场效应管简介;3.2 增强型N-MOSFET的基本特性;3.2 增强型N-MOSFET的基本特性;保持uGS=Vgg=3V不变，改变Vdd，观测iD随uDS的变化，绘制曲线：
uDS较小时，iD随uDS上升，FET的漏源之间类似一个线性电阻；
随着uDS增大，FET漏源之间的电阻增大， iD的上升趋缓；
当uDS超过2V后， uDS上升时漏源间电阻急剧增大， iD几乎不??变化（恒流）。;;UGS(th);3.3 不同类型的场效应管;3.3 不同类型的场效应管;3.3 不同类型的场效应管;3.3 不同类型的场效应管;3.3 不同类型的场效应管;补充知识：场效应管原理（以N沟道为例）;补充知识：场效应管原理（以N沟道为例）;补充知识：场效应管原理（以N沟道为例）;补充知识：场效应管原理（以N沟道为例）;补充知识：场效应管原理（以N沟道为例）;3.4 场效应管的低频等效模型;3.4 场效应管的低频等效模型;3.4 场效应管的低频等效模型;3.4 场效应管的低频等效模型;3.5 场效应管的主要参数;67;67;Thank You !
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