2012_半导体物理_5_非平衡载流子-2014-04-29课程.pptVIP

间接复合 当半导体中注入了非平衡载流子后 非平衡载流子的寿命为 复合率公式同样适用于Dn0、Dp0的情形，这时复合率为负值，它表示电子-空穴对的产生率。 间接复合 在小注入情况下 非平衡载流子的寿命为 NC和NV具有相近的数值， n0、 p0 、n1及p1 的大小主要分别由 (EC-EF )、 (EF -EV )、 (EC -Et ) 及(EF-Et ) 决定。 当k0T 比起这些能量间隔小得多时， n0、 p0 、n1及p1 之间往往高低悬殊（有若干数量级之差），只需要考虑最大者，使问题大为简化。 半导体物理学 第5章 非平衡载流子 SCNU 光电学院 * 间接复合 假定 EF 比E’t更接近 EC ，称为“强 n 型区” , 显然， n0、 p0 、n1及p1中 n0 最大，即, n0p0 , n0 n1 及 n0 p1 因此， 在掺杂较重的n型半导体中，对寿命起决定作用的是复合中心对少数载流子空穴的俘获系数rP , 与电子俘获系数rn无关 在重掺杂的n型材料中，EF远在Et以上，所以复合中心能级基本上填满了电子，相当于复合中心俘获电子的过程是完成了的。因而复合中心对空穴的俘获率rP决定着非平衡载流子