第章常用子元器件的识别与测试.ppt

第 4 章　常用电子元器件 的识别与测试 一、电阻器 1、电阻器的电路符号 2、电阻的单位 4、常用的电阻 5、电阻器型号的命名方法 7、电阻器的标注方法 8、电阻器的测试 二、电位器 1、电位器的电路符号 三、电容器 1、电容器的电路符号 2、电容的单位 4、常用的电容器 6、电容器的标注方法 7、电容器的测试 四、电感器 1、电感器的电路符号 3、常用的电感器 5、电感器的标注方法 6、电感器的测量 五、半导体分立元件 1、半导体二极管 2、半导体三极管 3、场效应管 4、晶闸管(可控硅) 六、集成电路 1、集成电路的型号与命名 2、集成电路的分类 3、数字集成电路的特点与分类 数字集成电路的分类： 常用TTL（74系列）数字集成电路 常用CMOS（C000系列）数字集成电路 4、TTL集成电路应用须知 5、 CMOS集成电路应用须知 6、 集成电路的检测 达林顿管参数 单结晶体管 单结晶体管的应用 场效应三极管简称场效应管，它也是由半导体材料制成的。与普通双极型三极管相比，场效应管（单极型晶体管）具有很多特点。 场效应管是电压控制器件，它的输出电流决定于输入信号电压的大小，管子的电流受控于栅源之间的电压（ ）。场效应管栅极的输入电阻很高，可达109～1015Ω，对栅极基本上不取电流，这是普通双极型三极管无法与之相比的。场效应管还具有噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、动态范围大等特点，使场效应晶体管的应用范围十分广泛。 场效应管的三个电极分别称为：漏极（D）、源极（S）、栅极（G），也可类比为双极型三极管的e、c、b三极。场效应管的漏极（D）、源极（S）能够互换使用（衬底不和源极连接，则不能再互换）。 （1）场效应管的分类 场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类型，如图所示。 场效应管的分类 G S 栅极 源极 漏极 D N沟结构 结型 场效应管 S 栅极 源极 漏极 D P沟结构 G D G S N沟耗尽型 衬底 D G S P沟耗尽型 衬底 D G S N沟增强型 衬底 D G S P沟增强型 衬底 MOS型 场效应管 结型场效应管 根据导电沟道的材料不同，分为N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。结型场效应管的结构示意图和代表符号如图所示。它是在一块N型（或P型）硅半导体材料的两侧各制作一个PN结。N型（或P型）半导体的两个极分别叫漏极（D）和源极（S），把两个P区（或N区）联在一起引出的电极叫栅极（G）。两个PN结中间的N型（或P型）区域称为导电沟道（沟道就是电流通道）。 S 栅极 D 漏极 S 源极 P P N 型沟道 图形符号 S G D 绝缘栅型场效应管 绝缘栅型场效应管按其工作状态可以分为增强型和耗尽型两类，每类又分为P型沟道和N型沟道。绝缘栅型场效应管是在一块掺杂浓度低的P型（或N型）硅片上，用扩散的方法形成两上高掺杂的 型区（或 型区），分别作为源极（S）和漏极（D）。在两个 型区（或 型区）之间硅片表面上制作一层极薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，使两个N型区（或P型区）隔绝起来，在绝缘层上面，蒸发一个金属电极—— 栅极（G）。由于栅极和其他电极以及硅片之间是绝缘的，所以称之为绝缘栅场效应管。从整体上说，它是由金属、氧化物、半导体组成，又称其为金属—氧化物—半导体场效应管，简称为MOS场效应管。 绝缘栅型结构(N沟道) N+ N+ P型硅衬底 SiO2 绝缘层 图形符号 （2）结型场效应管的电极判别 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的特点，可以方便地用万用表欧姆挡判别出结型场效应管的D、S、G三个电极。 具体方法：将万用表拨在R×1k挡，将黑表笔接场效应管的一个电极，用红表笔分别接另外两个电极，如两次测得的结果阻值都很小，则黑表笔所接的电极就是栅极（G），另外两极为源（S）、漏（D）极（对结型场效应管而言，漏极与源极可以互换），而且是N型沟道场效应管。在测量过程中，如出现阻值相差太大，可改换电极再重测，直到出现两阻值都很小时为止。如果是P沟道场效应管，则将黑表笔改为红表笔，重复上述方法测量，即可判别出G、D、S极来。 （3）结型场效应管的性能测量 将万用表拨在R×1k或R×100挡上，测P型沟道时，将红表笔接源极（S）或漏极（D），黑表笔接栅极（G），测出的电阻值应很大，交换表笔测，阻值应该很小，表明管子是好的。如果测出的结果与其不符，说明管子不好。当栅极与源极间、栅极与漏极间均无反向电阻时，表明管子已坏了。 将两只表笔分别接漏极和源极，