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第 四 章 光二極體及光信號接收器 光二極體及光信號接收器 4-1 光二極體 4-2 雜訊 4-3 信號雜訊比值 4-4 誤碼率 4-5 同調偵測方式 4-6 外差偵測的信號雜訊比值 4-7 外差偵測接收器 4-8 其它的雜訊現象 4-9 接收電器設計 光二極體及光信號接收器 光二極體及光信號接收器 頻譜響應 光二極體:PN接面光二極體 光二極體:PIN型光二極體 光二極體:PIN型光二極體 光二極體:PIN型光二極體 光二極體:PIN型光二極體 光二極體:PIN型光二極體 光二極體:蕭特基光二極體 光二極體:累崩光二極體 矽累崩光二極體 鍺累崩光二極體 分離吸收累崩光二極體 分離吸收累崩光二極體 超晶格光二極體 步階式光二極體 雜訊:熱雜訊 雜訊:熱雜訊 雜訊:熱雜訊 雜訊:射擊雜訊 雜訊:射擊雜訊 信號雜訊比值 信號雜訊比值 信號雜訊比值:光功率固定的輸入 信號雜訊比值:光功率固定的輸入 信號雜訊比值:光功率固定的輸入 誤碼率:受限於熱雜訊情形的誤碼率 同調偵測方式:同調光纖通信系統 同調偵測原理:外差偵測方式 外差偵測的信號雜訊比值 外差偵測接收器:方向耦合器形式 外差偵測接收器:積體光學形式 其他的雜訊現象:模態雜訊 其他的雜訊現象:模態雜訊 雷射雜訊:分配雜訊 雷射雜訊:分配雜訊 接收電路設計:電晶體放大器 接收電路設計:高輸入阻抗放大器 接收電路設計:高輸入阻抗放大器 接收電路設計:高輸入阻抗放大器 接收電路設計:高輸入阻抗放大器 接收電路設計:轉換阻抗式放大器 接收電路設計:轉換阻抗式放大器 接收電路設計:轉換阻抗式放大器 接收電路設計:轉換阻抗式放大器 各種調變方式可搭配不同的偵測方式,其各種組合的比較,如圖4.30所示,它是以收信靈敏度作為比較指標,由圖中可見,ASK同調光纖通信系統比傳統的直接強度調變系統改善了收信靈敏度10~20dB ,FSK比ASK同調方式改善3dB收信靈敏度,PSK比FSK又改善了3dB ,而同頻偵測比外差偵測方式好,靈敏度增加了3dB。 外差偵測屬於同調偵測的一種,它須要特性良好的本地振盪光源,產生本地振盪光束與輸入光信號在光耦合器內混合,此混合的信號在進入光偵測器,看圖4.31。注意雷射光束必須使用單一縱向模態輸出,兩個光束都必須是偏極化光波,且使用偏極化保存單模光纖。 圖4.32顯示傳統的直接偵測方式,它的S/N比值在光二極體內部增益某適當值Mopt時有最大值;當增益值M再增加時,S/N值會下降,而同調偵測方式沒有這個困擾,光信號輸入小時,可增加本地振盪信號,以放大微弱的光信號,所以S/N值相對的也被提高,同時S/N比值可十分接近量子限制SNR理想值,看圖4.33。 看圖4.35,是一個4埠的方向耦合器,P1功率的光信號輸入於第一個埠端,這個P1的光功率將依照分裂比率,適當的分散光功率到第2個埠及第3個埠中。而P2與P3的比值即是分裂比率,可由元件的結構來調變。可利用此方向耦合器來做成外差偵測接收器,看圖4.36,由第一個埠輸入光信號光束,第2個埠輸入本地振盪光束,在第3個埠安置光偵測器,來接收混合光束。而此方向耦合器是由單模光纖對絞而成,而對絞的長度將決定分裂比值。 看圖4.37,是一個積體光學形式的方向耦合器,光功率由一個波導耦合多少比例到另一個波導,可由長度L來控制。而鄰近的光波導之間,光能量的互相耦合,是因外洩出波導的電磁波造成的,稱為衰減電場。 此種雜訊發生在通信系統使用多模光纖及雷射光信號源,在光纖內各種縱向模態彼此會有干涉現象發生,因而在光纖橫切面上,形成由“亮”及“暗”點形成的圖案,如圖4.38。 當光源波長因為其他因素而改變或光纖受到振動時,不同模態互相干涉形成的圖案將改變,光纖系統內有連接器或者有光纖的接續,連接器及光纖接合,或多或少有懸接兩端光纖不對準的現象,看圖4.39,當干涉圖形變動時,不對準所造成的損耗也會因此而變動,如此雜訊就造成了。為減少模態雜訊,可使用單模光纖、低同調性的光源、及低損耗的連接器來改善。 由於溫度變化時,各模態功率分配發生變化所致,看圖4.40,此種雜訊只存在於多模態光纖雷射二極體。 看圖4.41,一個固定光功率雷射,它的光功率能量波包由不同光波長功率構成,然而,在不同時間,這個固定的光能量分配給不同光波長的量會變化的;例如:不同溫度下,在溫度T1時,能量大部分在模態λ1,在溫度T2時,模態λ2佔據大部分能量,產生雜訊現象。 又分成雙極性電晶體與場效電晶體放大器兩種。雙極性電晶體放大器,看圖4.42(a) ,它是由逆偏壓的光二極體、負載電阻、及雙極性電晶體組成。逆偏壓光二極體與負載電阻作為光信號轉換為電信號,而電晶體的作用為放大信號功能。看圖4.42(b) ,它是將圖4.42(a)中的雙極性電晶體由場效電晶體取代,其他電路
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