3高电压术_第三章电气设备绝缘试验技术.ppt

第一篇高 电 压 绝 缘 与 试 验 第三章 电气设备绝缘试验技术 主要内容 电气设备进行绝缘试验的必要性 绝缘预防性试验的目的： 绝缘故障大多因内部存在缺陷而引起，通过测量电气特性的变化来发现隐藏着的缺陷。 高压绝缘试验分类 非破坏性试验(检查性试验或特性试验) 检查绝缘电气强度以外的其它电气性能。 破坏性试验(耐压试验) 检查绝缘的电气强度。 3-1 绝缘参数的测量 3-2 工频高电压试验 3-3 直流高电压试验 3-4 冲击高电压试验 3.1 绝缘参数的测量 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 二、 介质损失角正切tgδ的测量 三、 局部放电的测量 四、 绝缘油的色谱分析 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 绝缘电阻 最基本的综合性特性参数。 组合绝缘和层式结构，在直流电压下均有明显的吸收现象，使外电路中有一个随时间而衰减的吸收电流。 吸收比 检验绝缘是否严重受潮或存在局部缺陷。 泄漏电流 所加直流试验电压高得多。 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 开关S合闸作为时间的起点，在极短的时间内，层间电压按下式分布。 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 达到稳态时（t→∞）， 层间电压按电阻分配 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 流过夹层电流： 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 意义 绝缘电阻指吸收电流按指数规律衰减完毕后测得的稳态电阻值，测量绝缘电阻可有效反应绝缘整体受潮、局部严重受潮或贯穿性缺陷等。 吸收比是同一试品在两个不同时刻的绝缘电阻的比值，所以排除了绝缘结构和体积尺寸的影响。 一般以K大于1.3作为设备绝缘状态良好的标准亦不尽合适，有些变压器的K虽大于1.3，但R值却很低；有些K小于1.3 ，但R值却很高。 所以应将R值和K值结合起来考虑，方能作出比较准确的判断。 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 大容量电气设备中，吸收现象延续很长时间，吸收比不能很好地反映绝缘的真实状态，用极化指数再判断。 绝缘电阻的测量 定义：工程上常用兆欧表(摇表)进行测量，以加压60s后 读数为试品的绝缘电阻。 原理：电压线圈与电流线圈中电流在磁场中产生转动力 矩，在力矩差作用下，旋转 到平衡为止。 指针偏角与绝缘电阻关系： 绝缘电阻的测量 定义：工程上常用兆欧表(摇表)进行测量，以加压60s后 读数为试品的绝缘电阻。 原理：电压线圈与电流线圈中电流在磁场中产生转动力 矩，在力矩差作用下，旋转 到平衡为止。 指针偏角与绝缘电阻关系： 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 介质损耗角正切tgδ是绝缘品质的重要指标，介质的功率损耗与tgδ成正比。测量tgδ是判断电气设备绝缘状态的灵敏有效的方法； tgδ能反映绝缘的整体性缺陷(全面老化)和小容量试品中的严重局部性缺陷； tgδ随电压变化的曲线可以判断绝缘是否受潮，含有气泡及老化的程度； 大容量的设备绝缘存在局部缺陷时，应尽可能将设备解体后分解测量进行分析。 二、介质损失角正切tgδ的测量 1. tgδ的测量方法－西林电桥(QS1型) 二、介质损失角正切tgδ的测量 调节R3和C4，检流计的电流为0，电桥平衡。 二、介质损失角正切tgδ的测量 求得试品的等值电容Cx和等值电阻Rx 二、介质损失角正切tgδ的测量 2. QS1型西林电桥接线原理图 二、介质损失角正切tgδ的测量 3.电桥测量的影响因素 杂散电容电流； 杂散电导电流； 试品表面泄漏； 周围其它试品的影响； 外界电源对电桥的干扰； 解决方法：加设屏蔽；采用移相电源；采用倒相法 消除磁场干扰方法： 将电桥移到磁场干扰范围以外； 将检流计极性开关置于不同位置时调节电桥平衡测得试品介损和电容值再求平均值。 二、介质损失角正切tgδ的测量 温度 tgδ随温度的增高而增大（固体电介质具有负温度系数）。为便于比较，应将在各种温度下测得的值换算到20℃时的值。 试验电压 当绝缘存在故障时， tgδ值与电压非线性。 试品表面泄漏 测试前应清除绝缘表面的积污和水分，必要时还可以在绝缘表面上装设屏蔽极 试品电容量 电容量试品大，只能发现整体分布性缺陷，用测量tgδ的方法来判断绝缘状态就不很灵敏了。 1. 局部放电的基本概念 1. 局部放电的基本概念 气隙上电压为： Ca上的电压变化为： 放电过程示意图外部电压u、空间电荷q、气隙电压uc的时间变化图 表征局部放电的重要参数： 放电重复率：每秒发生放电脉冲的平均次数； 放电能量： 一次局部放电所消耗的能量 ； 2.局部放电的脉冲电流检测方法-电检测法 2.局部放电的脉冲电流检测方法 小结 局部放电的检测已成为确定产品质量和进行绝缘预防性试验的重要项目之一。 试验内容包括测量视在放电量、放电重复