第章nsp;晶体二极管工作原理及应用.ppt

3、掺杂特性：在纯净的半导体材料中，掺杂微量杂质，其导电能力大大增强。（可增加几十万至几百万倍） 价电子：最外层的电子受原子核的束缚最小，最为活跃，故称之为价电子。 最外层有几个价电子就叫几价元素，半导体材料硅和锗都是四价元素。 本征半导体——对半导体提纯，使之成为单晶体结构。这种纯净的晶体叫本征半导体。晶体管就是由此而来的。 ?l???导电方式 本征半导体中电流的大小取决于自由电子和空穴的数量，数量越多，电流越大。即本征半导体的导电能力与载流子的数量有关，而当光照和加热时，载流子的数量都会增加，这就说明了光敏性和热敏性。 ——在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成 N型半导体,也称电子型半导体。 N型半导体简化图 P型半导体简化图 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响。 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 1.2.3 半导体二极管的主要参数 二极管的单向导电性应用很广，可用于：检波、整流、限幅、钳位、开关、元件保护等。 例1：设二极管得导通电压为0.6V，求UO 例2：设二极管的导通电压忽略，已知ui=Asinwt(V)，画出uO的波形。 例3：设二极管的导通电压忽略，已知ui=10sinwt(V)，E=5V，画uo的波形。 例5：VA=3V, VB=0V，求VF (二极管的导通电压忽略) 例6 教材p55 题1.4.6（b） 应用举例 例1：电路如图，求流过稳压管的电流IZ，R是否合适？ 例2：电路如图，IZmax=50mA，R=0.15KΩ, UI =24V, IZ=5mA, UZ=12V，问当 RL = 0.2K Ω 时，电路能否稳定，为什么？当 RL = 0.8K Ω 时，电路能否稳定，为什么？ 例3、电路如图，UI =12V ，UZ=6V ，R=0.15KΩ ，IZ=5mA，IZMAX=30mA,问保证电路正常工作时RL 的取值范围 例：教材P55 题1.5.2 第1章 结束 t ui t uo t ui 10v 5v t uo 5v 例4：电路如下图，已知u=10sin(?t)(V)，E=5V，试画出uo的波形 解： u uo t u uo t 返回 例7 教材p55 题1.4.9 作业： p54 题1.4.3； 题1.4.5 ； 题1.4.7 1.4 特殊的二极管 ——稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样，稳压二极管伏安特性曲线的反向区、符号和典型应用电路如图所示。 一、稳压二极管的伏安特性曲线及稳压原理： (a)符号 (b) 伏安特性 (c)应用电路 (c) (a) (b) U/V UZ 从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压二极管的参数 (1) 稳定电压UZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 二、主要参数 (2)最大稳定工作电流 IZmax 和 最小稳定工作电流IZ ————— 稳压管的最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即PZmax =UZIZmax 。 若IDZ＜IZmin则不能稳压。 UZ ?UZ U (3) 耗散功率 PZM —— 稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 PZ= UZ IZ，由 PZM和UZ可以决定IZmax。 ?UZ 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 三、稳压管稳压电路的工作原理 解： 故，R是合适的。 解： 解： END 常用半导体材料硅和锗的原子结构 2.??半导体的内部结构及导电方式： Si Si Si Si Si Si 共价键结构—每个价电子为两个相邻原子核所共有。 l??内部结构： 本征激发——价电子获得一定的能量后挣脱共价键的束缚成为自由电子的现象叫本征激发。 Si Si Si Si Si Si 自由电子——当温度升高时，一些价电子获得一定的能量后，挣脱共价键的束缚，成为自由电子。 空穴:留下的空位 自由电子数=空穴数 自由电子和空穴统称为载流子 本征半导体的特点 动画 动画 Si Si Si Si Si Si 电子电流 空穴电流 共价健中的价电子在外电场的力的作用下挣脱共价键的束缚，沿与外电场方向相反方向填补空穴，就好像空穴沿与外电场方向相同的方向作定向运动，形成电流，这个电流称为空穴电流。 ?外电场 所