纳米氧化锌非金属掺杂和其物性研究.pdfVIP

摘 要 氧化锌(ZnO)具是有直接带隙、禁带很宽的半导体物质。室温下的禁带宽 度可以达到3．37eV，激子束缚能为60meV，具有在近紫外发光、光学透明性、 电子传导、压电性等独特性质，而成为重要的功能材料。P掺杂的ZnO纳米材料 同样成为研究的热点，通过掺杂可以改善ZnO纳米材料的发光性质，制备P型 的纳米材料更可以使人们得到优质的pn结结构，在激光器件等方面有很大的应 用。 我们选用■个电极的电化学方法进行制备，用ITO做为制备的衬底，通过 改变电压以及改变电流来制备ZnO纳米结构和P掺杂的ZnO纳米结构，再通过 用恒电压条件制各的纳米ZnO具有比较好的结晶质量，以磷酸二氢铵作为掺杂 源，可以成功实现P掺杂，对掺杂后的ZnO进行热退火可以成功实现进一步改 善其结晶质量，对退火后的样品进行表征，与之前制备的样品进行比较，热退火 处理后的P掺杂ZnO纳米材料的光致发光光谱中施主受主对发光的存在表明 P—ZnO可以成功引入受主。 关键词：电化学沉积ZnO纳米棒掺杂退火； III ABSTRACT withawideband of3．37eVanda ZnOisadirectband semiconductor gap gap becomean of60meVatroom has excitation temperature．ZnO large bindingenergy thenear。ultraviolet the natureof materialduetoits functional unique important andthe properties· conductivitypiezoelectric transparency，electron emitting，optical attractmoreandmore nanomaterialsalso ZnO P-doped willalso of nanomaterials canbe p·type bydoping．Preparation improved properties have inthelaser enable to greatapplication getqualityp—njunction．ZnO people device． and ZnO