全国20094月高教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码02234.docVIP

全国2009年4月高等教育自学考试 电子技术基础（一）试题 课程代码：02234 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．PN结加反向偏置其耗尽层将（　　　） A．不变 B．变窄 C．变宽 D．不能确定 2．理想二极管构成的电路如题2图所示，其输出电压U0为（　　　） A．-6V B．4V C．6V D．10V 3．测得某电路中硅三极管的管脚电位如题3图所示，则该管处在（　　　） A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 D．不能确定 4．题4图的转移特性是（　　　） A．P沟道增强型管的 B．N沟道增强型管的 C．P沟道耗尽型管的 D．N沟道耗尽型管的 5．下述放大电路比较，输入电阻最低输出电阻高的是（　　　） A．共射放大电路 B．共基放大电路 C．共集放大电路 D．共漏放大电路 6．要得到一个电压控制的电压源，在放大电路中应引入（　　　） A．电流并联负反馈 B．电流串联负反馈 C．电压并联负反馈 D．电压串联负反馈 7．下列放大电路中低频特性最好的放大电路是（　　　） A．OTL电路 B．阻容耦合电路 C．变压器耦合电路 D．直接耦合电路 8．单相桥式整流电路中，变压器的次级电压有效值为30V，则每个整流二极管所承受的最高反向电压为（　　　）