全国20124月高教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码02234.docVIP

全国2012年4月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码：02234 一、单项选择题本大题共l5小题，每小题2分，共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（ ） A．P型半导体，其少子为自由电子 B．N型半导体，其多子为自由电子 C．P型半导体，其少子为空穴 D．N型半导体，其多子为空穴 2．理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压UO为（ ） A．3V B．0V C．-3V D．-V 3．关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（ ） A．基区很薄 B．基区掺杂浓度最高 C．发射区掺杂浓度最高 D．发射结的结面积小于集电结的结面积 4．测得某放大电路中的三极管，各管脚电位如题4图所示，则可判定该管为（ ） A．锗管①为b极 B．硅管③为c极 C．锗管②为e极 D．硅管③为b极 5．题5图所示为场效应管符号。（ ） A．N沟道增强型 B．N沟道耗尽型 C．P沟道增强型 D．P沟道耗尽型 6．关于射极输出器的特点，以下说法错误的是（ ） A．输入电阻很大 B．输出电阻很小 C．电压放大倍数近似等于l D．输出电压与输入电压相位相反 7．放大电路如题7图所示，该电路引入了交直流（