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P-N接面理論 1-1半導體的材料與特性 1-2 P-N接面之特性與變化 1-3 P-N二極體應用狀況 P型與N型半導體的比較： 1-2 P-N接面之特性與變化 * 表(1) 原子的構成：(原子本身不帶電，電中性) 9.1×10-31 1.67×10-27 1.67×10-27 質量(公斤) －1.6×10-19 不帶電 ＋1.6×10-19 帶電量(庫倫) 負電(－) 不帶電 正電(＋) 帶電性 電子 中子 質子 最電子數 自由電子與電洞均可導電，都稱為載子(載體) 能階 不同軌道的能量之差就稱為能階，電子從最外層軌道(價電帶)跳脫共價鍵的束縛成為自由電子(傳導帶)所需的能量就稱為能隙 不摻雜任何雜質的半導體稱之為本質半導體，又稱為純半導體 依質量作用定律得知 Ni 2 = n × p ni及pi代表純半導體中之導電電子及電洞的濃度，稱為本質濃度(或固有濃度)(intrinsic concentration) ni是溫度的函數，溫度升高，熱擾動增加，平均被破壞的共價鍵變多，固有電子電洞的濃度增加，導電度增加。 IF：擴散電流 IS：逆向飽和電流正比於二極體之截面積 e：自然指數之底數約等於2.71828 VD：加於二極體兩端之順向偏壓 η：實驗常數(依材料及結構來決定，一般約為1) VT：熱電壓 二極體電流擴散電流IF經實驗及證明是以指數的型態增