第八图像信息的光电变换节摘要.pptVIP

如果此时有光线入射（正面/背面）到硅片上，则在光子的作用下，半导体硅片上就形成电子和空穴，由此产生的光生电子(少数载流子)被附近的势阱所吸收(或称俘获)，而同时产生的空穴(多数载流子)则被电场排斥出耗尽区进入衬底，此时势阱内所吸收的光生电子数量与入射到势阱附近的光强成正比。人们称这样一个 MOS结构元为MOS光敏元，或称为一个像素，把一个势阱所收集的若干光生电荷称为一个电荷包。 MOS光敏元结构及其势阱 区别于热生载流子－暗电流 MOS光敏元结构及其势阱 因为每个CCD单元都是一个电容器，所以它能储存电荷。它们按线阵或面阵有规则地排列，且用同一半导体衬底制成，衬底上面覆盖一层氧化物，并在其上制作许多金属电极。如果在金属电极上施加一正电压，则在这半导体硅片上就形成几百个或几千个相互独立的势阱。如果照射在这些光敏元上的是一幅明暗起伏的图像，则在这些光敏元上就会感生出一幅与光照强度 相对应的光生电荷图像。即：电荷耦合器件的光电效应的基本原理。 2、读出移位寄存器（光敏单元中的电荷向移位寄存器转移） 移位寄存器由金属电极、氧化物介质及半导体组成，也是MOS结构，它不能使它受光照射，应防止外来光线的干扰。图2所示为以三相配线连接的读出移位寄存器的结构及控制时钟波形。 图 三相CCD读出寄存器结构与电荷转移的关系 a) 势阱耦合与电荷转移