第六半导体存储器摘要.ppt

* 图6-14是Intel公司的MOS型静态2114的结构图。1024×4位RAM。可以选择4位的字1024个。采用X、Y双向译码方式。4096个存储单元排列成64行×64列矩阵，64列中每四列为一组，分别由16根Y译码输出线控制。即每一根译码输出线控制存储矩阵中四列的数据输入、输出通路，读写操作在 （读/写信号）和 （选片信号）的控制下进行。 图6-14 2114RAM1024×4位 存储器结构图 * 6.3.4 RAM的扩展 RAM的种类很多，存储容量有大有小。当一片RAM不能满足存储容量需要时，就需要将若干片RAM组合起来，构成满足存储容量要求的存储器。RAM的扩展分为位扩展和字扩展两种。 1. 位扩展 字数满足要求，而位数不够时，应采用位扩展。 * 实现位扩展的原则是： ①多个单片RAM的I/O端分别接到数据线上。 ②多个RAM的CS接到一起，作为RAM的片选端（同时被选中）； ③地址端对应接到一起，作为RAM的地址输入端。 ④多个单片RAM的R/W端接到一起，作为RAM的读/写控制端（读/写控制端只能有一个）； * 图6-15是用4片256×1位的RAM扩展成256×4位的RAM的接线图。 图6-15 RAM位扩展接线图 * 2.字扩展 在RAM的数据位的位数足够