第八光刻与刻蚀工艺摘要.pptVIP

Si3N4的干法刻蚀 刻蚀剂：与刻蚀Si、SiO2相同。 Si3N4＋F*→ SiF4↑+N2↑ 刻蚀速率：刻蚀速率介于SiO2与Si之间； （Si-N键强度介于Si-O键和Si-Si键） 选择性： ①CF4： 刻蚀Si3N4/SiO2 --选择性差； ②CHF3：刻蚀Si3N4/SiO2 --选择性为2-4。 刻蚀Si3N4/Si --选择性为3-5； 刻蚀SiO2/Si --选择性大于10； 8.2.2 干法刻蚀 多晶硅与金属硅化物的干法刻蚀 多晶硅/金属硅化物结构：MOS器件的栅极； 栅极尺寸：决定MOSFET性能的关键； 金属硅化物：WSi2、TiSi2； 腐蚀要求：各向异性和选择性都高 刻蚀剂：CF4、SF6、Cl2、HCl； 腐蚀硅化物：CF4+ WSi2→ WF4↑+SiF4↑+C Cl2 + WSi2→ WCl4↑+SiCl4↑ 腐蚀poly-Si：氟化物（ CF4、SF6）--各向同性； 氯化物（ Cl2、HCl）--各向异性， 选择性好（多晶硅/SiO2）。 8.2.2 干法刻蚀 铝及铝合金的干法腐蚀 几个工艺问题： ①Al2O3的去除：溅射、湿法腐蚀； ②CuCl2的去