电子技术及应用第1A章1汇总.ppt

晶体管电流关系实验电路 1.晶体管的电流分配关系 BJT内部载流子的传输过程 退出 正偏使发射结 使集电结反偏 1.发射区向基区发射电子，形成发射极电流IE的主要成份。 IE 2.基区中电子的复合形成基极电流IB的主要成份。 IB 3.集电区收集电子形成集电极电流IC的主要成份。 IC 注意： （1）三极管的电流放大作用就是基极电流IB的微小变化控制了集电极电流IC较大的变化。 （2）三极管放大电流时，被放大的IC是由电源VCC提供的，并不是三极管自身生成的，放大的实质是小信号对大信号的控制作用。 （3）三极管是一种电流控制器件。 2.晶体管的电流放大作用 三极管的电流放大作用 双极型三极管的电流放大作用 晶体管芯结构剖面图 e发射极 集电区N 基区P 发射区N b基极 c集电极 晶体管实现电流 放大作用的内部结构条件 （1）发射区掺杂浓度很高，以便有足够的载流子供“发射”。 （2）为减少载流子在基区的复合机会，基区应做得很薄，一般为几个微米，且掺杂浓度极低。 （3）为了顺利收集边缘载流子，集电区体积较大，且掺杂浓度界于发射极和基极之间。 可见，双极型三极管并非是两个PN 结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。 晶体管实现电流放大作用的外部条件 N N P UBB RB ＋ － （1）发射结必