【金属腐蚀与防护】高温氧化调研报告.pptVIP

【金属腐蚀与防护】高温氧化调研报告.ppt

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
5.4.2 合金的内氧化及外氧化 ? 在二元合金中加入中等活性元素可以促进合金由内氧 化向外氧化的转变 ? 在NiAl合金中加入适量的Cr – 使生成A12O3外氧化膜所需的Al含量显著下降 – Cr起到了除氧剂的作用,合金表面先生成一层Cr2O3氧化 膜,降低了氧化膜/合金界面的氧活度,使合金中的铝在 较低浓度下就可以选择氧化生成连续的A12O3氧化膜。 – 在高温和高氧压下Cr2O3逐渐以CrO3蒸发掉,留下一个连 续的保护性好的A12O3氧化膜 5.4.3 掺杂对合金氧化的作用 ? 在合金中加入适当元素使其掺杂到氧化膜中,降低 离子或电子的迁移,可以提高金属的抗氧化性能。 (1)离子导体氧化物 ? Ag中加入少量Cd形成Ag-Cd合金,膜中的Cd2+ 产生 阳离子空位,减少电子空穴,氧化速度变慢 (2)金属过剩氧化物 ? Zn中加入少量Al形成Zn-Al合金,膜中的Al3+离子使间 隙Zn原子缺陷浓度降低,氧化速度下降 (3)金属不足氧化物 ? 在Ni中加入少量Cr形成Ni-Cr合金,膜中的Cr3+增加了 Ni阳离子空位,使氧化速率上升 掺杂对合金氧化的作用 ? 控制合金氧化的原子价规律(Hauffe原子价规律) ? 通过掺杂降低氧化速度 ? 形成离子导体膜时,应掺杂高价的金属 ? 形成金属过剩氧化膜时,应掺杂高价的金属 ? 形成金属不足氧化膜时,应掺杂低价的金属 提高合金抗氧化的途径 1. 通过选择性氧化生成优异的保护膜 2. 生成离子移动速度慢的尖晶石结构氧化膜 3. 减小氧化膜的晶格缺陷浓度,降低离子的 扩散速度 4. 增强氧化膜与基体金属的附着力 其它类型的金属高温腐蚀 ? 炼制高硫原油装置的金属构件 – 高温硫腐蚀和含硫混合气体腐蚀 ? 煤和有机燃料的燃烧 – CO2、CO和H2O(气)使金属材料发生碳化 ? 燃气涡轮在海上或沿海工作 – 高温部件上会沉积Na2SO4熔盐导致热腐蚀 * 标准:金属与1mol氧反应生成氧化物的自由能的变化。 * NaCl:立方最密堆积,每个离子被周围六个离子包围,占据八面体间隙。 氧化铝:阳离子配位数6,阴离子配位数4.占据八面体间隙的2/3 缺陷符号 生长应力开裂;热应力剥落。 * * 一般来讲,氧的扩散能力越小,B的扩散能力越大,富集程度越大。 * 1.极薄氧化膜 ? 氧化膜极薄 氧化膜中产生的电场强大 电场作用下离子的迁移 浓度梯度产生的迁移 金属氧化速度决定于金属离子和电子迁移速度, 迁移慢者为控制步骤,决定氧化动力学规律 ? 金属离子脱离晶格进入氧化膜所需的功为A ? 电子由费米能级激发到氧化膜导带所需的功为Φ ? A Φ 和 A Φ两种情况 y y0 dy dt ? A Φ ? 电子迁移 金属离子迁移容易,电子迁移较困难 金属氧化的控制步骤 ? 电子可以通过隧道效应进入导带 电子的隧道效应随着膜的厚度增加,呈指数下降 当氧化膜厚度增至4nm时,隧道效应终止 氧化膜的生长速率随着膜的增厚呈指数下降,氧化动力 学为对数规律 ? 若氧化膜的厚度为y,氧化速度可表达为: ) = A exp(? y = A lg( Bt + 1) 1.极薄氧化膜 1 y ? A>Φ 离子的迁移阻力 电子的迁移阻力 ? 离子的迁移 金属氧化的控制步骤 ? 电场的影响随着膜的增厚呈指数减弱,当氧化膜达到一定 厚度时,离子移停止,氧化膜不再生长 反对数规律 ? 铜、铁、铝、银等金属在室温或低温下的氧化 = A ? B lg t 1.极薄氧化膜 2.薄氧化膜 ? 薄氧化膜——10~200nm ? 氧化温度较高,离子电流密度与电场强度 不再服从指数关系,而变为直线关系 新的氧化动力学规律 ? 氧化物类型不同,产生不同的氧化动力学 规律 1 y dy dt ? 金属过剩型氧化物 ? 控制因素:晶格间隙离子在氧化膜中的迁移 ? 氧化速率 ∝ 晶格间隙金属离子的电流iion ? iion∝膜中电场强度E、离子浓度nion ? 电场强度随厚度的增大而变小,即 E∝ 1/y ∝ iion ∝ Enion ∝ 1 / 2 y = kt 2.薄氧化膜 1 2 dy dt y ? 金属不足型氧化物 ? 离子迁移决定氧化膜的生长速率 ? 金属在氧化膜/氧界面同所吸附的O2-发生反应 金属空位 ? 金属离子空位浓度nv ∝表面吸附O2-浓度n0 ? 电场强度

文档评论(0)

武神赵子龙 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档