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模电知识整理 第零章 导言 第一章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体 纯净的具有晶体结构的半导体 1.1.1.1 半导体 物质的导电性能决定于原子结构。 导体一般为低价元素。绝缘体一般为高价元素（如惰性气体）。常用半导体材料硅锗均为四价元素。 1.1.1.2 本征半导体的晶体结构 晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。 本征半导体中的电子通过共价键互联。 1.1.1.3 本征半导体中的两种载流子 常温下，极少数价电子由于热运动（热激发）获得足够的能量，挣脱共价键的束缚成为自由电子，带负电。 自由电子脱离轨道束缚，原处留下空位置，称为空穴，带正电。 自由电子与空穴成对出现，数目相等。 在本征半导体外加电场，则自由电子将产生定向移动，形成电子电流；空穴将被价电子按一定方向依次填补，即空穴也产生定向移动，形成空穴电流。二者运动方向相反。 半导体中电流为自由电子与空穴电流之和。 运载电荷的粒子称为载流子。导体的载流子仅有自由电子一种；本征半导体的载流子有自由电子和空穴两种。 1.1.1.4本征半导体中载流子的浓度 本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象。 复合：自由电子填补空穴的现象。 动态平衡：本征激发产生的自由电子与空穴数目相等。 在一定温度下，本征半导体中载流子的浓度是一定的，且自由电子与空穴浓度相等。 环境温度升高时，载流子浓度