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第11章　淀　积 表面薄膜的形成 薄膜 分类 1.导电薄膜 2.绝缘薄膜 11章 作用 1.作为器件、电路的一部分（电感） 2.工艺中的牺牲层 内容安排 11章 SiO2 Si3N4 多晶硅层 12章 金属层 本章目标 介绍多层金属化。介绍薄膜的特性，介绍薄膜生长的三个阶段。 了解化学气相淀积CVD的8个步骤，及不同类型的反应。 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及对CVD掺杂薄膜的效应。 介绍不同类型的CVD淀积系统，解释设备功能，讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。各自对应淀积的材料 。 解释绝缘材料对芯片技术的重要性。 讨论外延技术和三种不同的外延层淀积方法。 解释旋涂绝缘介质。 11.1 引言： MSI 的晶体管的各层薄膜 不平 Process Flow in a Wafer Fab 薄膜简介及主要应用 Film Layering in Wafer Fab Diffusion Thin Films 薄膜的相关术语Terminology Multilayer Metallization Metal Layers Dielectric Layers 金属层 材料：铝 、铜 名称：M1、 M6 金属层：增加一层成本增加：15% 关键层：底层金属M1 非关键层：上层金属 考虑：速度与功耗，寄生参数（电容、电感、电阻） Multilevel Metallizat