第03章热平衡态下半导体中载流子的统计分布--2015.09.28研讨.ppt

第03章 半导体中载流子的统计分布 ●施主能级分裂成能带； ●导带 = 本征导带 + 杂质能带 ●在 EC 附近，gC(E) 明显增加 ●杂质上的电子直接参与导电 第03章 半导体中载流子的统计分布 ● 电子占据量子态的几率： 费米分布函数 → 简并半导体 玻尔兹曼函数 → 非简并半导体 ● 能量状态密度： 导带：gC(E) ∝ E 1/2 价带：gV(E)∝-E 1/2 第三章 小结 第03章 半导体中载流子的统计分布 ● 载流子浓度： 导带电子浓度： 价带空穴浓度： 浓度积： 第03章 半导体中载流子的统计分布 ● 本征半导体： ●非简并半导体： N型： 低温弱电离区 （P 型？） 第03章 半导体中载流子的统计分布 只含ND： 第03章 半导体中载流子的统计分布 饱和电离区 只含ND 第03章 半导体中载流子的统计分布 过渡区 本征区 第03章 半导体中载流子的统计分布 ● 饱和电离区的确定 ● 简并半导体 载流子浓度 简并条件： 或 简并时的杂质浓度和杂质能级 重掺杂 杂质能带 第03章 半导体中载流子的统计分布 第三章习题 1.计算能量在 之间单位体积的量子态数。 2. 在Ge中施主杂质电离能为 施主杂质浓度分别为 计算（1）99%电离；（2）90%电离；（3）50%电离时的温度各为多少？ 3.有一块掺磷的n型硅， ，分别计算温度为（1）77K；（2）300K；（3）500K；（4）800K时导带中的电子浓度。 4.掺有硼原子浓度为 的硅材料，分别计算（1）300K和（2）600K时费米能级的位置及多子和少子浓度。 * 第03章 半导体中载流子的统计分布 第03章 半导体中载流子的统计分布 NA=0 第03章 半导体中载流子的统计分布 当ND＞＞ni时: 靠近饱和区一边 第03章 半导体中载流子的统计分布 当ND＜＜ni时: 靠近本征区一边 第03章 半导体中载流子的统计分布 4. 本征激发区 （高温） n0 ?? ND, p0 ?? NA 第03章 半导体中载流子的统计分布 ND 0 ni T n n 型硅中电子浓度与温度关系 n 200 400 600 第03章 半导体中载流子的统计分布 P型半导体的载流子浓度和费米能级 1. 低温弱电离区 第03章 半导体中载流子的统计分布 4. 本征激发区 3. 过渡区 po=NA，no=ni2/NA 2. 饱和电离区 第03章 半导体中载流子的统计分布 计算掺杂半导体的载流子浓度时，需首先考虑属于何种温区。 一般：T：300K左右，且掺杂浓度＞＞ni 属于饱和电离区 注意： N型：no=ND—NA 或 no=ND P型：po=NA—ND 或 po=NA 第03章 半导体中载流子的统计分布 三、工作温区（强电离区）的确定 1.??已知工作温度(Tmin—Tmax)确定掺杂范围(ND)min—(ND)max ?由Tmax确定(ND)min ● 根据Tmax，由lnni ~1/T曲线查出 Tmax对应的ni； ● 根据ni的公式计算出Tmax所对应的ni； 第03章 半导体中载流子的统计分布 要达到全电离，要求ED＞＞EF 由Tmin确定(ND)max 第03章 半导体中载流子的统计分布 在强电离区： 第03章 半导体中载流子的统计分布 一般：D－= 0.1，达到全电离。 第03章 半导体中载流子的统计分布 室温时：NC=2.8×1019/cm3，△ED=0.025ev (ND)max=5×1017/cm3 (ND)min=10ni(500K) 查表得：T=500K时，ni=5×1014/cm3 (ND)min=5×1015/cm3 例：计算工作温度在室温到 500K 的掺 P 的 Si 半导体的施主浓度范围。 工作温区=强电离区 Tmin=300K，Tmax=500K 第03章 半导体中载流子的统计分布 2. 已知杂质范围确定工作温区 (ND)min→Tmax (ND)max→Tmin 第03章 半导体中载流子的统计分布 霍尔系数与温度的关系： 霍尔系数与载流子浓度之间有反比关系，因此当温度不变时，霍尔系数不会变化；而当温度改变时，载流子浓度发生变化，霍尔系数也随之变化。 第03章 半导体中载流子的统计分布 霍尔系数随温度T变化的关系图 图中纵坐标为霍尔系数的绝对值，曲线A、B分别表示n型和p型半导体的霍尔系数随温