窄带半导体敏化TiO2光催化剂及宽带隙氧化物和氢氧化物汇总.pptVIP

窄带半导体敏化TiO2光催化剂及宽带隙氧化物和氢氧化物 目录 窄带半导体敏化TiO2光催化剂 目前，由于TiO2具有高效、无毒、价廉等优点，被认为是在污染治理方面具有较好市场应用前景的半导体光催化剂之一。 但TiO2光催化剂也存在很多不足，如对太阳能利用率低，TiO2禁带宽度较宽，从而限制了其实际应用。研究发现，将禁带宽度小于TiO2的半导体与其复合，是拓宽吸收带边的一种有效方法。 窄带半导体敏化TiO2光催化剂 MVO4/TiO2(M=La，In and Bi) 近些年，作为一种窄带半导体，LaVO4/TiO2由于具有较好的催化性能以及对可见光的响应而受到广泛关注。我们就以它作为MVO4/TiO2的代表物质来谈一谈。 LaVO4/TiO2 采用溶胶-凝胶水热法制备LaVO4/TiO2纳米管，TiO2纳米管的制备亦然，只是不向TiO2溶胶中加入LaVO4。 LaVO4/TiO2 如图示出了LaVO4/TiO2和TiO2纳米管的氮气吸附=脱附曲线，其吸附等温线为III型.根据BET公式计算,样品的比表面积。纳米管的比表面积为76m2/g，与纯TiO247m2/g 相比其比表面积更大，这将有利于提高TiO2的吸附性能，可以使更多的物质吸附于TiO2的表面，增加 TiO2降解的能力。LaVO4/TiO2纳米管的孔径主要分布在2~18nm（插图) ，与TiO2纳米管相比，孔径分布范围缩小。 LaVO4/TiO2 采用表面光电压谱考察制备样品的光学性质。 如图是LaVO4/TiO2纳米管以及纯TiO2纳米管的表面光电压谱图。从图 可知，LaVO4/TiO2纳米管的表面光伏响应强于纯TiO2纳米管，表明在被辐照的LaVO4/TiO2纳米管材料中光生电荷载流子的分离率更高 PZT/TiO2 PS/TiO2 新型复合半导体 X/TiO2(X=PZT, PS)的光催化氧化性能的研究 PZT/TiO2 PS/TiO2 目前以二氧化钛为基础的可见光半导体光催化剂仍然面临光生载流子转换效率低和化学稳定性差等重大问题；如何在保持化学稳定的前提下开发高效可见光光催化剂成为近些年来光催化领域的研究焦点。 因此想到利用窄禁带半导体，多孔硅（PS ~ 2.0 eV） 和锆钛酸铅（PZT~ 2.5 eV），作为复合材料成功地应用在光催化领域； 并以 PZT/TiO2和 PS/TiO2作为可见光光催化剂对有机污染物罗丹明 B 的降解为例提出了可能的反应机理。 PZT/TiO2 PS/TiO2 分析手段 PZT/TiO2 PS/TiO2 通过对半导体光催化剂的载流子寿命和羟基自由基的测定(分别采用表面瞬态光电导谱和电子顺磁共振谱)揭示了光催化氧化过程的可能途径。 PZT/TiO2 PS/TiO2 新型二氧化钛基复合半导体材料的光催化氧化性能通过对罗丹明 B 的降解来确定。 透射电镜证实了多孔硅，锆钛酸铅与二氧化钛的成功复合。 活性测试表明，复合半导体催化剂比单独的 PZT、 PS、TiO2、P25(商品)以及文献上报道的其他光催化剂有着更加优越的可见光活性。其中 PS/TO2的可见光活性至少是其他催化剂活性的 5 倍。 PZT/TiO2 PS/TiO2 表面瞬态光电导和电子顺磁共振测试表明半导体之间的异质复合提高了PZT/TiO2和 PS/TiO2催化剂的光生载流子的分离效率，促进了表面羟基自由基的生成；并提出了可见光光催化的可能机理。 PZT/TiO2 PS/TiO2 在相同实验条件下，PZT/TiO2和 PS/TiO2对罗丹明 B 的连续五次降解，其活性均基本保持不变。实验显示，新合成的复合半导体材料解决了催化剂的化学稳定性问题。其中，多孔硅在可见，紫外光等条件下具有的光催化活性尤其值得关注，并有可能在不久的将来超越 TiO2作为新一代可见光催化剂。 宽带隙氧化物和氢氧化物 Ga2O3 In(OH)3 InOOH Zn2GeO4 ZnGa2O4 Ga2O3 In(OH)3 InOOH 苯具有高毒性和致病性，是空气中常见的一种挥发性有机污染物对健康和环境危害大，以 TiO2为代表的半导体光催化氧化技术是一种理想的环境治理技术。 TiO2 已广泛应用于一般室内挥发性有机物的去除。然而在处理苯等难降解有机污染物时由于在催化剂表面生成难被降解的聚合物中间产物，往往导致TiO2 光催化剂的失活。 Ga2O3 In(OH)3 InOOH 开发可在常温下使用的降解苯系污染物的高效光催化剂对于推广光催化技术在苯污染治理中的应用具有重大的意义。 最近研究所开发出一系列宽带隙p区金属氧化物/氢氧化物光催化剂如Ga2O3 In(OH)3 InOOH。 它们对苯系污染物的光催化降解显示出很好的活性和稳定