电工学第8章SH.pptVIP

（四） 主要参数 1. 电流放大系数 ，? 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成共发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 * 例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 * 2.集-基极反向截止电流 ICBO 3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 B E C N N P ICBO ?A + – EC * 4. 集电极最大允许电流 ICM 5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 集电极电流 IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR) CEO。 6. 集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。 PC ? PCM =IC UCE 硅管允许结温约为150?C，锗管约为70?90?C。 * ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 IC UCE O * 晶体管参数与温度的关系 1、温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优 于锗管。 2、温度每升高 1?C，UBE将减小 –(2~2.5)mV， 即晶体管具有负温度系数。 3、温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 * 第 8 章 结 束 * * * 电容滤波电路的特点 (T — 电源电压的周期) 输出电压的脉动程度和平均值Uo都与放电时间 常数RLC有关。 RLC 越大 ? 电容器放电越慢 ? 输出电压的平均值Uo 越大，波形越平滑。 近似估算（有载时）取： Uo = 1. 2 U 当负载RL 开路时，UO ? 为了得到比较平直的输出电压 * 3.有电感滤波的整流电路 电路结构 工作原理 整流后电流分为直流和交流两种分量，由于L的通直阻交作用，交流分量被阻挡，只有直流分量通过负载RL，实现了滤波。 工作波形 u ?t O u RL UR + – – ~ + L uo ?t O UR * 4. 电感电容滤波器 L u RL uo + + – – ~ + C 对直流分量: XL=0 ，L相当于短路,电压大部分降在RL上。对谐波分量: f 越高,XL越大,电压大部分降在L上。因此,在负载上得到比较平滑的直流电压。 当流过电感的电流发生变化时，线圈中产生自感电势阻碍电流的变化,使负载电流和电压的脉动减小。 LC滤波适合于电流较大、要求输出电压脉动较小的场合，用于高频时更为合适。 * 5. ? 形滤波器 ? 形 LC 滤波器 滤波效果比LC滤波器更好，但二极管的冲击电流较大。 比? 形 LC 滤波器的体积小、成本低。 L u RL uo + + – – ~ + C2 + C1 ? 形 RC 滤波器 R u RL uo + + – – ~ + C2 + C1 R 愈大，C2愈大（容抗小），交流成分越多降落在R上，滤波效果愈好。但R 大将使直流压降增加，主要适用于负载电流较小而又要求输出电压脉动很小的场合。 * 8.3 特殊二极管 1. 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 _ + U I O （一）稳压二极管 * 3. 主要参数 (1) 稳定电压UZ