模拟电子第5章总结.ppt

第5章 场效应管放大电路 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 结型场效应管的特性曲线小结 双极型BJT和场效应管的比较 N沟道JFET工作时，电压偏置要求： 1 .栅源极间加一负电压(vGS＜ 0) 作用：使PN结反偏，栅极电流iG≈0 2.漏源极间加一正电压(vDS＞0) 作用：使N沟道中的多子电子在电场作用下，由源极向漏极作运动，形成漏极电流 iD（由漏极到源极）。 2. 结型场效应管的工作原理 N沟道和P沟道JFET的工作原理完全相同。以N沟道JFET为例，分析其工作原理。 iD 讨论NJFET的工作原理，就是： 1）讨论 vGS 对 iD 的控制作用； 2）讨论 vDS 对 iD 的影响。? （1）vGS 对iD的控制作用（设 vDS＝0） ① 当vGS=0时，导电沟道较宽，其电阻较小。 ② 当vGS =-VGG,且│vGS│↑时，PN结反偏 耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 ③ 当│vGS│↑到一定值（VP）时 ，两侧的 耗尽层在中间合拢，沟道被夹断，漏源极间 的电阻趋于无穷大。 夹断电压VP： 导电沟道消失（耗尽层合拢）所需的vGS。 可见：（1） 改变vGS大小，可控制沟道电阻的大小. （2）若加上固定的正向漏源电压 vDS，则漏极流向源极的电流 iD 将受 vGS 控制，|vGS|增大时，沟道电阻增大，iD 减小。 （2）vDS 对 iD 的控制作用（设 vGS = 0） ① 当vDS=0 时，导电沟道较宽，iD=0。 ② vDS＝VDD↑→iD↑，vDS沿沟道产生一个电位梯度，整个沟道呈楔形分布，越靠近漏极d处，沟道越窄。 ③当vDS ↑到一定值（vDS= -VP）时 ，在靠近d处两耗尽层相遇， 沟道夹断（预夹断）。若vGS≠0，预夹断时vGD = VP (负值) ，即 vGS -vDS = VP ，此时vDS= vGS –VP。 ④ vDS再↑，夹断区延长， iD 几乎不变。 （3）栅源电压vGS 和漏源电压vDS 共同作用 vGS（负电压）0使耗尽区变宽，导电沟道变窄； vDS （正电压）使耗尽区和导电沟道进一步变得不等宽。 结论： ① JFET栅极与沟道间的PN结是反偏的，因此栅极电流 iG≈0。 ② JFET是电压控制电流器件，iD 受 vGS 控制。 ③ 预夹断前，iD与vDS 近似呈线性关系；预夹断后iD 趋于饱和。 ④ P沟道JFET工作时，电源的极性与N沟道JFET的电源极性 相反；漏极电流方向相反。 3、结型场效应管的特性曲线 ① 输出特性曲线： 饱和区 截止区 击穿区 图5.3.5（b） 可变电阻区 （b）可变电阻区（预夹断前）：VPvGS≤0，vDS≤vGS－VP ， vDS??iD?，JFET相当于一个压控可变电阻。 （a）截止区（夹断区）： vGS VP , iD= 0 （c）饱和区（预夹断后）：VP vGS ≤0，vDS vGS－VP , iD大小受vGS控制，JFET相当于一个压控电流源。 （d）击穿区：当漏源电压vDS增大到一定数值时，漏端PN结发生雪崩击穿，使iD 剧增的区域。 根据输出特性曲线，可作出移特性曲线。 例：作vDS=10V的一条转移 特性曲线： 饱和漏极电流IDSS ： vGS=0，vDS≥0时的漏极电流。 ② 转移特性曲线： 夹断电压（负值） JFET的主要参数与MOSFET类似 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 P沟道JFET工作时，电源的极性与N沟道JFET的电源极性相反；漏极电流方向相反。 JFET放大电路的交流小信号模型 压控电流源 gmvgs 体现了输入电压vgS对输出电流id的控制作用。 gm 为低频互导； rds为输出电阻，可以近似认为开路。 1.共源放大电路（p232：图5.3.8） （1）电压增益： （2）输入电阻： （3）输出电阻 * * 场效应管（Field Effect Transistor，简称FET） 只有一种载流子（电子或空穴）参与导电，故称单极型三极管 两种载流子（电子和空穴）都参与导电，故称双极型三极管 电压控制电流型器件（vGS→iD） 电流控制电流型器件（iB→iC） 场效应管 FET 双极型三极管 BJT 体积小，重量轻，功耗低，价格低，寿命长； 噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单; 在大规模集成电路制造中应用广泛。 FET的特点： 根 据 结 构 的 不 同 结型场效应管 (Junction Field Effect Transistor，JFET) 金属－氧化物－半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Trans