3.2半导体光检测器原理3版课程.pptVIP

* * 图 3.25 APD载流子雪崩式倍增示意图 雪崩效应 * * APD的结构 有多种类型，如图3.26示出的N+PΠP+结构被称为拉通型APD。 图3.26 APD结构图 * * 在这种类型的结构中，当偏压加大到一定值后，耗尽层拉通到Π(P)层，一直抵达P+接触层，是一种全耗尽型结构。拉通型雪崩光电二极管(RAPD)具有光电转换效率高、响应速度快和附加噪声低等优点。 * * 3、 APD的主要性质 1） 倍增因子 由于雪崩倍增效应是一个复杂的随机过程，所以用这种效应对一次光生电流产生的平均增益的倍数来描述它的放大作用， 并把倍增因子g定义为APD输出光电流Io和一次光生电流IP的比值。 * * 雪崩倍增效应不仅对信号电流而且对噪声电流同样起放大作用，所以如果不考虑别的因素，APD的信号电流产生的均方量子噪声电流为  〈i2q〉=2eIPBg2 (3.26a) 这是对噪声电流直接放大产生的，并未引入新的噪声成分。 2. 过剩噪声因子 * * 事实上，雪崩效应产生的载流子也是随机的，所以会引入新的噪声成分，并表示为过剩噪声因子F。 F(1)是雪崩效应的随机性引起噪声增加的倍数，设F=gx，APD的均方量子噪声电流应为 〈i2q〉=2eIPBg2+x (3.26b) 式中， x为附加噪声指数，B为放大器的带宽。 同理，APD的暗电流产生的均方噪声电流为： 〈 i2d〉=2eIdBg2+x (3.27) 附加噪声指数x与器件所用材料和制造工艺有关. * * 3.2.4 光电二极管一般性能和应用 * * * * 应用场合：APD是有增益的光电二极管，在光接收机灵敏度要求较高的场合，采用APD有利于延长系统的传输距离。但是采用APD要求有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路，结果增加了成本。因此在灵敏度要求不高的场合，一般采用PINPD。  材料不同应用场合不同：Si-PIN和APD用于短波长(0.85μm)光纤通信系统。InGaAs-PIN用于长波长(1.31 μm和1.55 μm)系统，性能非常稳定，通常把它和使用场效应管(FET)的前置放大器集成在同一基片上，构成FET- PIN接收组件，以进一步提高灵敏度，改善器件的性能。 InGaAs- APD的特点是响应速度快，速率可达几到十几Gb/s，用于超高速光纤通信系统。 * * 在光纤通信系统中，目前应用最多的光电检测器是PIN光电二极管和雪崩二极管，他们都是依据受激吸收的基本原理工作的，为了改善普通的雪崩光电二极管的暗电流、响应速度、倍增噪声及器件的可靠性等性能，相继开发出了一些新型光电检测器。 小结 * 显然，APD的响应度比PIN增加了g倍。根据经验，并考虑到器件体电阻的影响，g可以表示为 * * 3.2 半导体光检测器 光接收机是光纤通信系统的重要组成部分； 作用：把光发射机发送的携带有信息的光信号转化成相应的电信号并放大、再生恢复为原传输的信号。 * * 图5.1 光接收机组成框图 光检测器产生的光电流是非常微弱的，必须由前置放大器进行低噪声放大，因此前置放大器的噪声对光接收机的灵敏度影响非常大；主放大器是为了提供足够的增益，并通过它实现自动增益控制（AGC)，以使光信号在一定范围内变化时，输出电信号保持稳定；均衡器以及滤波器对信号进行进一步放大及整形，以提高系统性能。 组成： * * （1）在系统的工作波长上具有足够高的响应度，即对一定的入射光功率，能够输出尽可能大的光电流； （2）具有足够快的响应速度，能够适用于高速或宽带系统； （3）具有尽可能低的噪声，以降低器件本身对信号的影响； （4）具有良好的线性关系，以保证信号转换过程中的不失真； （5）具有较小的体积、较长的工作寿命等。 对光检测器的基本要求: * * PIN光电二极管 APD雪崩二极管 本节介绍发光二极管的工作原理，基本结构和主要特性。 光检测器的常用类型 * * 1、光电二极管的结构和功能 结构： 光电二极管是一个工作在反向偏压下的PN结二极管。 功能：把光信号转换为电信号，是由半导体PN结的光电效应实现的。  3.2.1 光电二极管(PD)工作原理 * * 在PN结界面上，由于电子和空穴的扩