场效应管及放大电路讲述.pptVIP

当VGS＞０时栅极和衬底间的绝缘层中有向下的电场它将P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。向下的电场还吸引衬底的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道。 结型场效应三极管 JFET的结构与MOSFET相似，工作机理也相似。JFET的结构如图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区相连为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 (2)结型场效应三极管的工作原理 根据结型场效应三极管的结构，因它没有绝缘层，对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作原理。 ① 栅源电压对沟道的控制作用 ② 漏源电压对沟道的控制作用 当VDS增加到使VGD=VGS(off)时，在紧靠漏极处出现预夹断。当VDS继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。（动画2-9） (3)结型场效应三极管的特性曲线 JFET的特性曲线也有两条，它与耗尽型MOSFET的特性曲线基本相同，只不过耗尽型MOSFET的栅压可正、可负，而结型场效应三极管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的为负。否则，PN结正向偏置，使栅 极电流不为零。 四.场效应三极管的参数 ① 开启电压VGS(th) (或VT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制 电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm) 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模 集成 4.2 MOSFET放大电路 4.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析 *4.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路 4.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 共源极放大电路 直流通路 4.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 假设工作在饱和区，则有： 验证是否满足 如果不满足，则说明假设错误 须满足VGS VT ，否