致电离辐射探测学89177120精讲.ppt

第一节 半导体探测器的基本原理 在结区空间电荷密度为： 由于总电荷应为零，故有 一、结区的电场分布 泊松方程： 对（5.3）式积分可得两区的电场分布 二、结区的宽度 对（5.4a）式积分可以得到势垒高度： 结区的宽度： 以P型硅为基体的半导体探测器的结区宽度 半导体材料的电阻率 在N型材料中 在P型半导体中 利用（5.6）和（5.8）式，分别对N型和P型材料可得 室温下 对Si 对Ge 三、PN结的反向偏压 四、PN结的电容 结电容： 结区内空间电荷分布： 五、PN结的漏电流 1.结区内部产生的体电流 理论计算得出，结区内单位面积的体电流 在硅中 ，若为N型硅则 2.表面漏电流 3.少数载流子扩散电流 * 第五章 半导体探测器 第五章 半导体探测器 第五章 半导体探测器 第五章 半导体探测器 六十年代发展起来的，其探测介质是半导体材料 优点（1）能量分辨率高（2）线性范围宽（3）金硅面垒或PN型探测器：输出脉冲上升时间快（毫微秒） 体积小缺点： 辐射后性能变坏 温度效应 第五章 半导体探测器 Si和Ge半导体探测器作为“黄金标准”应用在电子和伽玛射线的谱学测量中 为什么？ 非常高的能量分辨率（很小的能量产生电子—空穴对） 高的密度（相对与气体） 很好的载流子收集特性 优良的时间特性 第五章 半导体探测器 半导体探测器与气体探测器的比较 基本工作原理非常类似 电离探测器材料的原子---产生正、负载流子 外电场漂移、输运和收集电荷载流子 由于载流子的运动，在载流子的收集过程中感应信号 不同点： 固态计数器有较高的密度（dE/dx） 小的电离能 较高的迁移率 两种类型的载流子都快 第五章 半导体探测器 第五章 半导体探测器 第五章 半导体探测器 第五章 半导体探测器 p and n type semiconductor Si Si Si Si Si Si Si Si Si P Si Si Si Si Si Si B Si n-type (valence 5 impurity) p-type (valence 3 impurity) Conduction band Valence band Eg?1 eV Conduction band Valence band Eg?1 eV Donor states Acceptor states 第五章 半导体探测器 第五章 半导体探测器 第五章 半导体探测器 第五章 半导体探测器 第五章 半导体探测器 第二节 PN结的性质(5.1) 第五章 半导体探测器 第五章 半导体探测器 第五章 半导体探测器 = 第五章 半导体探测器 第五章 半导体探测器 代入 （5.9a）和 （5.9b）得 第五章 半导体探测器 第五章 半导体探测器 利用(5.6a) 第五章 半导体探测器 利用(5.10a)和(5.10b)对硅探测器 第五章 半导体探测器 第五章 半导体探测器