7-4-2 磁场中的高斯定理 §7.5 安培环路定理 7-5-2 安培环路定理的应用 1990年,IBM公司的科学家展示了一项令世人瞠目结舌的成果,他们在金属镍表面用35个惰性气体氙原子组成“IBM”三个英文字母。 这是中国科学院化学所的科技人员利用纳米加工技术在石墨表面通过搬迁碳原子而绘制出的世界上最小的中国地图。 下图所示的是在电解液中得到的硫酸根离子吸附在铜单晶(111)表面的STM图象。 §7.7 磁场对载流导线的作用 §7.8 磁介质(原子分子组成的任何物质) 结论: 附加电子磁矩 的方向总是和外磁场 方向相反。 由于分子中每一个运动电子都要产生与外磁场反向的附加磁矩 ,分子中各电子附加磁矩的矢量和即为分子的附加磁矩 。磁 介质中大量分子的附加磁矩在宏观上对外显示出磁效应。这一磁效应与外磁场方向相反,我们把它称为“抗磁效应”。 注意: 在抗磁质和顺磁质中都会存在抗磁效应,只是抗磁效应与顺磁效应相比较要小得多,因此在顺磁质中,抗磁效应被顺磁效应所掩盖。 7-8-2 磁化强度与磁化电流 1. 磁化强度 为了反映磁化程度的强弱,引入“磁化强度矢量” 磁化强度:磁介质中某一点处单位体积内分子磁矩的矢量和。 单位: 磁化强度是空间坐标的矢量函数。当磁化强度矢量为恒矢量时,磁介质被均匀磁化。 注意:
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