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Vegard′s law的偏異對Wurtzite InxGa1-xN能隙與彎曲係數的影響 劉柏挺 修平技術學院機械工程學系 台中縣41283大里市工業路11號 Phone：04 FAX：04 E-mail：btliou@mail.hit.edu.tw 林正洋、顏勝宏、張永政、郭艷光* 國立彰化師範大學物理系所暨光電研究所 彰化市50058進德路1號 *Phone：04-7232105 Ext. 3341, FAX：04-7211153, E-mail：ykuo@cc.ncue.edu.tw (NSC-91-2112-M-018-010) 摘要:本文以最低能量法求出wurtzite InGaN的晶格常數，並且與Vegard′s law計算的晶格常數比較，進而探討兩者對InGaN能隙與彎曲係數的影響。研究顯示，以Vegard′s law計算所得到的晶格常數a偏大，而晶格常數c偏小；以Vegard′s law得到的晶格常數來計算能隙其彎曲係數為1.915 eV，而由最低能量法計算所得之彎曲係數為1.780 eV。 1. 前言 三元氮化物半導體材料在光電材料上被視為最具潛力的材料之一，除了因其具有極佳的物理特性，如高熔點、高硬度、以及高熱傳導率等優點外，更擁有良好的光學特性，如低介電常數、以及較寬廣的能隙可調範圍。InxGa1-xN被廣泛應