第14章集成式温度传感器研究报告.pptVIP

图14-8 DS18B20转换期间的强上拉供电 有两种方法能够使DS18B20在动态转换周期中获得足够的电流供应。第一种方法，当进行温度转换或拷贝到EEPROM存储器操作时，给I/O线提供一个强上拉。用MOSFET把I/O线直接拉到电源上就可以实现。在发出任何涉及拷贝到EEPROM存储器或启动温度转换的协议之后，必须在最多10μs之内把I/O线转换到强上拉。使用寄生电源方式时，VDD引脚必须接地。 另一种给DS18B20供电的方法是从VDD引脚接入一个外部电源，如图14-9所示。这样做的好处是I/O线上不需要加强上拉，而且总线控制器不用在温度转换期间总保持高电平。这样在转换期间可以允许在单线总线上进行其他数据往来。另外，在单线总线上可以挂任意多片DS18B20，而且如果它们都使用外部电源的话，就可以先发一个Skip ROM命令，再接一个ConvertT命令，让它们同时进行温度转换。注意当加上外部电源时，GND引脚不能悬空。 图14-9 VDD供电 温度高于100℃时，不推荐使用寄生电源，因为DS18B20在这种温度下表现出的漏电流比较大，通信可能无法进行。对于总线控制器不知道总线上的DS18B20是用寄生电源还是用外部电源的情况，DS18B20预备了一种信号指示电源的使用情况。总线控制器发出一个Skip ROM协议，然后发出读电源命令，如果是寄生电源，DS18B20在单线总线上