单分散高分子微球的制备及其自组装光子晶体结构色解说.docVIP

题 目：单分散高分子微球的制备及其自组装光子晶体，是指具有光子带隙的周期性介电结构材料。如果将介电常数不同的介电材料在空间周期性的排列，导致介电常数的空间周期性，光在其中传播时由于布拉格散射，从而形成能带结构，称之为光子能带。光子能带之间可能出现带隙，能量落在带隙中的光波不能传播，即光子带隙。随着光子晶体距离的变化，光子晶体对一定频率的光产生能带效应，即只有一定频率的光波会在光子晶体中完全禁止传播。 光子晶体的最根本的特征是具有光子带隙，落在带隙中的光被禁止传播。Yablonovitch指出：光子晶体可以抑制自发辐射。光子带隙使光子晶体 可以很好地抑制自发辐射，自发辐射的几率与光子所在频率的态的数目成正比，当原子自发辐射的光频率正好落在光子带隙中时，由于该频率光子的态的数目为零，因此自发辐射几率为零，自发辐射被抑制。反过来，光子晶体也可以增强自发辐射，只要增加该频率光子的态的数目就可以实现。光子带隙可分为完全带隙和不完全带隙。光在整个空间的所有方向上都有带隙，并且每个方向上的带隙能相互重叠，称为完全带隙；只在特定的方向上有带隙的称为不完全带隙。 光子晶体的另一特征是光子局域，如果在光子晶体中引入杂质或者缺陷时，频率处于缺陷态的光子只能存在于缺陷位置，一旦光子偏离缺陷位 置其能量将会迅速衰减。光子晶体中有点缺陷和线缺陷。当光子通过线缺陷时，被局限在线缺陷的位置，只能沿线缺陷的方向传播，可以做成光波 导。而当光子通过点缺陷时，光子被“俘获”在某一个特定的位置，光就无法从任何一个方向向外传播，相当于微腔。 1.3光之晶体结构色的制备原理 按照加工尺寸的不同，光子晶体的制备方法有机械钻孔、半导体蚀刻 技术、层状堆叠、胶体微球的自组装等[4]。 机械钻孔是通过在基体材料上打孔，利用基体材料和空气穴之间折射 率差得到光子晶体。1989年Yablonovitch等用钻孔的方法在高折射率基底材料中钻出8000个球形“空气原子”组成的面心立方结构，观察到光子带隙 开始，光子晶体的制备也得到了很大的发展。该法只能加工微波段的光子晶体，对于更短波长的光子晶体则显得无能为力。因此，要实现从近红外到可见光波段的光子晶体，必须发展其它方法。利用电子束刻蚀、激光光刻以及化学气相沉积等技术可以比较精确地制作出在红外和可见光波段 的光子晶体，但是这种方法的制作过程比较复杂，无法得到更小波段的光子晶体。如可以利用成熟半导体微加工刻蚀技术来得到近红外波段的光晶体。 1.4高分子微球自组装 高分子微球自组装方法一般包括重力下的自组装，垂直沉积法和静电排斥自组装[6]。 在重力场的作用下，只要沉积速度够慢，悬浮的单分散颗粒尺寸和密度足够大，这些沉积的颗粒就会经历一个从无序到有序的相转变过程，从而形成三维有序结构，这就是所谓的重力下的自组装。重力作用下的自组装主要包含了重力沉淀、扩散和结晶这三个步骤。在这一过程中起决定性 的因素有微球的粒径和密度，沉积速度等。一般来说，只有微球的密度和粒径足够大才能沉积堆叠，而且只有缓慢地沉积才能够形成有序的三维晶格。若粒径太小或密度接近分散介质，则只能以一种分散平衡的形式存在于介质中。这种方法得到的光子晶体结构一般而言是面心立方结构（fcc)，其填充率为74%,这主要是由这种结构形成过程的熵值决定的。但是这种方法难以控制晶体结构的表面状态，多层沉积导致在重力方向上出现密度和有序性都不同的堆叠层，而且耗时也相对较长。 垂直沉积法是使基板和溶液产生相对运动，利用固液界面的表面张力实现微球的定向排列[7]。该法的关键参数是衬底和溶液的相对运动速率不能大大低于微球的沉积速率。在这种方法中，将衬底放入胶体溶液中，随着溶剂的挥发，在衬底和液体之间会形成由胶体颗粒组成的薄膜，即形成了胶体光子晶体。随着技术不断地发展，该方法也得到了改进，现在出现了温度梯度垂直沉积法、流速可控垂直沉积法等改进技术。 静电排斥自组装是指胶体中，胶粒表面带有电荷，而整个胶体体系呈中性，颗粒间存在静电作用和分子间作用力。由于颗粒带电，如果电荷密度和胶体浓度适当，胶体小球就会自发排列成周期有序结构。该方法可利用胶体颗粒与器皿壁的作用力，引入电场等方法都可以得到光子晶体。 1.5无皂乳液法制备单分散高分子微球模板制备原理 本实验将采用无皂乳液的聚合方法制备高分子微球，并以此高分子微 球作模板，采用垂直沉积法制备光之晶体。无皂乳液聚合指完全不含乳化 剂或仅含微量乳化剂的乳液聚合，无皂乳液聚合制备的胶乳纳米粒子具有 表面“洁净”且可以具有多功能基团，形态规则，分布均匀。与传统的乳 液聚合相比，无皂乳液聚合的特点主要在于胶粒的形成机理及其得以稳定 的条件完全不同[8-10]。在无皂乳液聚合体系中没有乳化剂存在，胶粒主要是 通过结合在聚合物链或其端基上的离子基团、亲水基团等而得以稳定