LED芯片制作流程讲课.ppt

蒸发原理图 白膜：宽度为16cm,粘性随温度的升. 高增加; 贴膜 激光打在蓝宝石衬底上，所用激光为紫外光，波长为355nm。 划片 为了更好的把圆片裂开，需要让激光打在管芯轨道的中央位置，调节激光的焦距，使激光聚焦在片子上表面，激光的划痕深度尽量在25-30um。 蓝膜：宽度22cm 倒膜时衬底朝上，有电极的一面朝下。 倒膜 裂片前我们在片子上贴一层玻璃纸，防止裂片时刀对管芯的破坏。 裂 片 设 备 裂片 把裂片后直径为两英寸的片子扩成三英寸，便于后序的分拣工作 扩膜 测试分拣 测试 分拣 VF（正向电压） IR（反向漏电流） WLD（波长） LOP（光输出） 经过分拣的管芯就可以进行封装，成为一个个的LED. 以上就是LED芯片制作的一般过程，不同厂家的芯片在制程上可能有一些差别 LED芯片制作流程 报告内容 1.概况 2.外延 3.管芯 LED芯片结构 MQW=Multi-quantum well,多量子阱 LED 制造过程 衬底材料生长 LED结构MOCVD生长 芯片加工 芯片切割 器件封装 Sapphire蓝宝石 LED制程工艺 步骤 内容 前段 外延片衬底及外延层生长 中段 蒸镀、光刻、研磨、切割过程 后段 将做好的LED芯片进行封装 LED三个过程：材料生长、芯片制备、器件封装。 外延片制作 衬底 外延 可用LED衬底 1.GaAs衬底 2.Al2O3衬底 3.SiC衬底 4.Si衬底 GaAs衬底 GaAs衬底：在使用LPE (液相磊晶)生长红光LED时，一般使用AlGaAs外延层，而使用MOCVD生长红黄光LED时，一般生长AlInGaP外延结构。 优点 晶格匹配，容易生长出较好的材料 不足 吸收光子 蓝宝石Al2O3衬底 优点 化学稳定性好 不吸收可见光 价格适中 制造技术相对成熟 不足 导电性能差 坚硬，不易切割 导热性差 SiC衬底 优点 化学稳定性好 导电性能好 导热性能好 不吸收可见光 不足 价格高 晶体品质难以达到Al2O3和Si那么好 机械加工性能比较差 吸收380 nm以下的紫外光，不适合用来研发380 nm以下紫外 LED 目前国际上能提供商用的高品质的SiC衬底的厂家只有美国CREE 公司。 Si衬底 优点 晶体品质高 尺寸大 成本低 易加工 良好的导电性 良好的导热性和热稳定性 不足 由于GaN外延层与Si衬底之间存在巨大的晶格失配和热失配，以 及在GaN的生长过程中容易形成非晶氮化硅，所以在Si 衬底上很难得到无龟裂及器件级品质的GaN材料。 硅衬底对光的吸收严重，LED出光效率低。 Si衬底制备流程 长晶 切片 抛光 退火 → → → 外延生长 蓝宝石 缓冲层 N-GaN p-GaN MQW 在半导体基片上形成一个与基片结晶轴同晶向的半导体薄层，称为半导体外延生长技术，所形成的薄层称为外延层 P、N极的分离表现为元素掺杂度的不同 外延生长方法 依制程的不同，可分为LPE(液相磊晶)、MOCVD(有机金属气相磊晶)及MBE(分子束磊晶)。 LPE的技术较低，主要用于一般的发光二极管 MBE的技术层次较高，容易成长极薄的磊晶，且纯度高，平整性好，但量产能力低，磊晶成长速度慢。 MOCVD除了纯度高，平整性好外，量产能力及磊晶成长速度亦较MBE为快，所以现在大都以MOCVD来生产。 MOCVD 其过程首先是将GaN衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉（简MOCVD，又称外延炉），再通入III、II族金属元素的烷基化合物（甲基或乙基化物）蒸气与非金属(V或VI族元素）的氢化物（或烷基物）气体，在高温下，发生热解反应，生成III-V或II-VI族化合物沉积在衬底上，生长出一层厚度仅几微米（1毫米＝1000微米）的化合物半导体外延层。长有外延层的GaN片也就是常称的外延片。 双气流MOCVD生长GaN装置 MOCVD MOCVD 英国Thomas Swan公司制造，具有世界先进水平的商用金属有机源汽相外延(MOCVD)材料生长系统，可用于制备以GaN为代表的第三代半导体材料 第一代-Ge、Si半导体材料 第二代-GaAs、 InP化合物半导体材料 第三代-SiC、金刚石、GaN等半导体材料 外延片 绿光外延片 为什