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PECVD工艺培训 PECVD的原理 目录 PECVD的分类 PECVD工艺参数的调整 安全 PECVD的作用 PECVD：Microwave Remote Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition 微波间接等离子增强化学气相沉积 定义 等离子体：由于物质分子热运动加剧，相互间 的碰撞就会使气体分子产生电离，这样物质就 会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子 和中性粒子组成的混合物。 PECVD的作用 在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。其还具有卓越的抗氧 化和绝缘性能，同时具有良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸汽 扩散的能力；它的化学稳定性也很好，除氢氟酸和热磷酸能缓慢 腐蚀外，其它酸与它基本不起作用。 除SiN膜外，TiO2，SiO2也可作为减反膜 PECVD的作用 氮化硅颜色与厚度的对照表 颜色 厚度（nm） 颜色 厚度（nm） 颜色 厚度（nm） 硅本色 0-20 很淡蓝色 100-110 蓝 色 210-230 褐 色 20-40 硅 本 色 110-120 蓝绿色 230-250 黄褐色 40-50 淡 黄 色 120-130 浅绿色 250-280 红 色 55-73 黄 色 130-150 橙黄色 280-300 深蓝色 73-77 橙 黄 色 150-180 红 色 300-330 蓝 色 77-93 红 色 180-190 　 　 淡蓝色 93-100 深 红 色 190-210 　 　 PECVD的作用 空气或玻璃 n0=1 or 1.5 SiN减反膜的最佳折射率n1为 1.9或2.3 硅 n2=3.87 在左图中示出了四分之一波长减反射膜的原理。从第二个界面返回到第一个界面的反射光与从第一个界面的反射光相位相差180度，所以前者在一定程度上抵消了后者。即n1d1=λ/4 PECVD的作用 PECVD的作用 PECVD的作用 钝化太阳电池的受光面 钝化膜(介质)的主要作用是保护半导体器件表面不受污 染物质的影响，半导体表面钝化可降低半导体表面态密度。 PECVD的作用 钝化太阳电池的体内 在SiN减反射膜中存在大量的H，在烧结过程中会钝化晶体内部悬挂键。 PECVD的分类 PECVD法按沉积腔室等离子源与样品的关系上可以分成两种类型： 直接法：样品直接接触等离子体，样品或样品的支撑体就是电极的一部分。 间接法：或称离域法。待沉积的样品在等离子区域之外，等离子体不直接打到样品表面，样品或其支撑体也不是电极的一部分。 直接法又分成两种： 直接法与间接法 PECVD的分类 直接法又分成两种： （1）管式PECVD系统：即使用像扩散炉管一样的石英管作为沉积腔室，使用电阻炉作为加热体，将一个可以放置多片硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。这种设备的主要制造商为德国的Centrotherm公司、中国的第四十八研究所、七星华创公司。 （2）板式PECVD系统：即将多片硅片放置在一个石墨或碳纤维支架上，放入一个金属的沉积腔室中，腔室中有平板型的电极，与样品支架形成一个放电回路，在腔室中的工艺气体在两个极板之间的交流电场的作用下在空间形成等离子体，分解SiH4中的Si和H，以及NH3种的N形成SiNx沉积到硅表面。这种沉积系统目前主要是日本岛津公司在进行生产。 PECVD的分类 间接法又分成两种： 　　（1）微波法：使用微波作为激发等离子体的频段。微波源置于样品区域之外，先将氨气离化，再轰击硅烷气，产生SiNx分子沉积在样品表面。这种设备目前的主要制造商为德国的RothRau公司。 　　（2）直流法：使用直流源激发等离子体，进一步离化氨气和硅烷气。样品也不与等离子体接触。这种设备由荷兰的OTB公司生产。 f = 0 Hz ——OTB 40K Hz ——Centrotherm，Applied Film 1~100K Hz ——MVSystem（脉冲调制等离子体） 250K Hz ——Shimadzu（岛津） 440K Hz ——Semco 460K Hz ——Centrotherm 13.6M Hz ——Semco，MVSystem 2450M Hz ——Roth Rau 制备SiN薄膜设备的分类 等离子频率：4MHz。 F4MHz：离子可以跟上电极频率的变化，离子在电极间往返运动，形成等离子体，因此离子会直接轰击样品表面 F4MHz：离子无法跟上电极频率的变化，电子在电极间往返运动，电子将空间中的离子轰击形成等离子体，离子不直接轰击样品表面。 （1）频率越高均匀面积越小 （2）频率越低对于硅片表面的损伤较严重 （3）频率越低离子进入硅片越深，越有利于多晶硅境界的钝化 频率的变化对