4.4与非门讲述.pptVIP

* 根据瞬态特性设计 根据直流特性设计 或非门设计考虑 * 例题 采用0.6微米工艺，设计一个两输入或非门， 要求在最坏情况下输出上升时间和下降时间 不大于0.5ns 已知： * 采用等效反相器方法 根据 可得到 同理可得到 或非门中2个PMOS管串联 最坏情况下只有一个NMOS管导通 则有 * 与非门、或非门版图实例 * 与非门/或非门 与非门的直流特性 与非门的瞬态特性 与非门的设计 或非门 * * 静态CMOS逻辑电路 4.4 与非门/或非门 * 与非门/或非门 与非门的直流特性 与非门的瞬态特性 与非门的设计 或非门 只有前提均具备了，结果才发生，这种关系称为“与”逻辑。下面我们用开关A、B 串联控制灯F 的亮与灭，说明与逻辑的功能。 与逻辑 定义：开关合上为“1”，断开为“0”。 灯亮为“1”，灯灭为“0”。 描述逻辑功能有不同的手段。 真值表 将AB各种可能的情况与灯 F的关系列表表示如图： 1 11 0 10 0 01 0 00 F AB 真值表 B A F R E B A F R E * 从反相器到逻辑门的构成 把单个PMOS管和NMOS，换成多个串、并联的管子 上拉逻辑网络和下拉逻辑网络 * CMOS与非门 CMOS二输入与非门 电路图 逻辑符号与真值表 1 两输入与非门工作原理 四种输入组合 输 入 输 出 A B Y 0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 * 1 * 一、直流电压传输特性 使用等效反相器方法分析 分两种情况： 1. 两个输入信号同步 2. 两个输入信号不同步 分析过程：构建一个等效反相器，分析该反相器直流和瞬态特性 1 * 直流电压传输特性－两个输入信号同步 V DD V V out K K K K P P N N in 如果两个输入信号同步 * 两输入同步情况下逻辑阈值电平 若要求等效反相器50%噪声容限 高电平噪声容限小 Kreff=1 * 直流电压传输特性－ 两个输入信号不同步 特性条件： B固定在VDD，输出随A变化的关系 等效反相器：对应真值表第2、4行 等效反相器阈值： VDD * 直流电压传输特性－ 两个输入信号不同步 特性条件： A固定在VDD，输出随B变化的关系 等效反相器：对应真值表第3、4行 等效反相器阈值： VDD * 二输入与非门的直流电压传输特性曲线 Issue: A变化和B变化的差别 衬偏效应导致阈值电压变化 等效反相器阈值 * 二输入与非门的直流电压传输特性曲线 等效反相器阈值分别影响高电平和低电平噪声容限 * 分析n输入与非门的直流特性 n个输入信号同步时的逻辑阈值 （n个输入信号只有1个输入变化, 其余固定在高电平的逻辑阈值） 最佳直流特性 n个输入信号不同步时 忽略衬偏效应，有（n－1）种情况 * 与非门/或非门 与非门的直流特性 与非门的瞬态特性 与非门的设计 或非门 * 1. 上升时间 2. 下降时间 使用等效反相器方法分析 最坏情况：单管上拉 KPeff=KP KNeff=KN/n 与非门瞬态特性 * 传输延迟时间：阶跃输入 输入信号变化到输出信号变化50％的时间 取： * 传输延迟：非阶跃输入近似 等效反相器 用PMOS和NMOS的等效导电因子 * 与非门瞬态特性:电容 输出端负载电容计算 MOS管串并联的影响 * 四输入与非门 * 与非门瞬态特性：中间节点电容 下拉过程：考虑中间节点电容放电 Elmore模型，也可以根据不同要求采用集总模型 * 与非门/或非门 与非门的直流特性 与非门的瞬态特性 与非门的设计 或非门 * 根据瞬态特性设计 根据直流特性设计 与非门设计考虑 对称与非门： 上升下降时间相等 * 练习题 设某0.5微米工艺，VDD = 5V，VTN = 1V，VTP = -1V，Cox = 4×10-7 F/cm2，μn = 400 cm2/Vs、μp = 200 cm2/Vs。 设计一个二输入与非门，使最大噪声容限不小于0.45 VDD，且驱动1pF负载电容时上升、下降时间不大于10ns * 某0.5微米CMOS工艺，设VDD = 5V，VTN = 1V，VTP = -1V，Cox = 4×10-7 F/cm2，μn = 400 cm2/Vs、μp = 200 cm2/Vs PMOS和NMOS的宽长比分别为8和4，一个5环振（忽略PN结电容） 如果在5级环振的其中一个反相器换成2输入与非门，与非门的一端控制起振，则振荡过程中振荡频率为多少？ 练习题 * 与非门/或非门 与非门的直流特性 与非门的瞬态特性 与非门的设计 或非门 * CMOS或非门 电路图 逻辑图 真值表 * 或