3.4数字逻辑电子系讲述.pptVIP

* * 3.4　MOS逻辑门 3.4.1　MOS晶体管 3.4.2　MOS反相器和门电路 图3-4-1 N沟道增强型MOS管 N+ N+ S G D SiO2 P-Si (a) 结构示意图 (b) 符号 S G D 3.4.1　MOS晶体管 　　MOS（Metal Oxide Semiconductor）集成电路的基本元件是MOS晶体管。MOS管有三个电极：源极S、漏极D和栅极G。它是用栅极电压来控制漏源电流。 　　MOS管有P型沟道和N型沟道两种，按其工作特性又分为增强型和耗尽型两类。下面以N沟道增强型MOS管为例进行讨论。 图3-4-2 N沟道增强型MOS管输出特性曲线 O iDS vDS (Ⅰ)非饱和区 (Ⅱ)非饱和区 (Ⅲ)截止区 vDS= vGS-VGS(th)N vGS0 　　１．输出特性曲线和阈值电压 　　输出特性曲线表示在一定栅源电压vGS下，漏源电流iDS和漏源电压vDS之间的关系。 　　非饱和区：vDS很小，当满足vDS(vGS-VGS(th)N)时， iDS基本上随vDS线性上升。vGS越大，曲线越陡，相应等效电阻越小。该区域又称为可调电阻区域。 　　饱和区：当vDS≥(vGS-VGS(th)N)以后，漏极附近的沟道被夹断。iDS不随vDS线性上升，而是达到某一数值，几乎近似不变。 图3-4-3 N沟道MOS 管转移特性 O iDS vGS VGS(th)N vDS=常数 　　截止区：vGSVGS(th)N，还没有形成导电沟道，因此iDS=0。 　　２．转移特性和跨导 　　MOS管的转移特性是指在漏源电压vDS一定时，栅源电压vGS和漏源电流iDS之间的关系。 　　当vGSVGS(th)N时，iDS=0，只有当vGSVGS(th)N后，在vDS作用下才形成iDS电流。 　　vGS和iDS之间的关系，通常用跨导gm这个参数表示。即： 它表明了vGS对iDS的控制能力，数值越大，栅极控制作用越强。 　　３．输入电阻和输入电容 　　MOS管的栅、源两极通常作为输入端，输入电阻实质上就是介质SiO2层的绝缘电阻。若SiO2的厚度在0.15μm左右，绝缘电阻可达1012Ω以上。 　　MOS管的高输入电阻，使得其静态负载能力很强；栅极泄漏电流很小，可以将信息在输入端的栅极电容上暂存，为动态MOS电容和大规模存储电路的实现创造了条件。 　　MOS管的输入电容是指栅、源之间存在很小的寄生电容，其数值约为百分之几皮法到几皮法。 　　４．直流导通电阻 　　MOS管导通时，漏源电压vDS和漏源电流iDS的比值称为直流导通电阻 3.4.2　MOS反相器和门电路 　　在MOS集成电路中，反相器是基本的单元。按其结构和负载不同，可大致分为四种类型。 　　(1) 电阻负载MOS电路 　　(2) E/E MOS（Enhancement/Enhancement MOS）反相器 　　(3) E/D MOS（Enhancement/Depletion MOS）反相器 　　(4) CMOS（Complementary MOS）反相器 　　其中电阻负载MOS电路的输入器件是增强型MOS管，负载是线性电阻，这种反相器在集成电路中很少使用。 　　本节主要讨论以MOS管作为负载器件的反相器及逻辑门电路。 图3-4-4 E/E MOS反相器 S G D S G D vI vO VDD TL T0 　　１．E/E MOS反相器及逻辑门电路 　　特点：(1) 单一电源，结构简单； 　　(2) 负载管始终工作于饱和区，工作速度低，功耗大； 　　(3) 最大输出电压为VDD-VGS(th)NL，有不必要的电源损耗； 　　(4) 输出高、低电平之比VOH/VOL =2gm0/gmL，又称为“有比电路”。 图3-4-5 E/E MOS反相器的图解分析 O iDS vDSL VGS(th)NL iDS=k(vDSL- VGS(th)NL)2 O iDS vDS0 VDD-VGS(th)NL VDD A ● B TL T0 (a) (b) 图3-4-6 E/E MOS与非门、或非门电路 A Y VDD TL T1 B T2 Y VDD TL A T1 B T2 (a) E/E MOS与非门 (b) E/E MOS或非门 　　E/E MOS与非门、或非门电路 　　只有当输入信号大于VGS(th)NL时，对应的输入管才导通，否则截止。 *