半导体光学讲课.ppt

半导体光学 半导体材料是信息时代的原动力和发动机,是现代高科技的核心与先导。 半导体材料发展迅速 第一代半导体材料：硅，锗 推动集成电路为核心的微电子工业的发展 推动 IT产业的飞跃 在集成电路中，99％用硅 硅、锗基本物理参数 晶格常数 原子密度 共价半径 硅：0.543089nm 5.00×1022 0.117nm 锗：0.565754nm 4.42×1022 0.122nm 第二代半导体材料:砷化镓,磷化铟 GaAs是目前最主要的高速和超高速半导体器件 几乎垄断手机制造中的功放器件市场 InP作为光纤通讯的关键光电部件应用在激光源、光纤放大器、多路复用和信号分离器件 第二代半导体材料的主要应用还包括红外激光器和高亮度的红色发光二极管等 第三代半导体材料：氮化镓，氧化锌 以高亮蓝光发光二极管（LED）和蓝光激光器的为标志 禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子迁移速率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强，以及良好的化学稳定性 实现半导体照明。国内外倍加关注的半导体照明是一种新型的高效、节能和环保光源，将取代目前使用的大部分传统光源，被称为21世纪照明光源的革命，而GaN基高效率、高亮度发光二极管的研制是实现半导体照明的核心技术和基础。 提高光存储密度。DVD的光存储密度与作为读写器件的半导体激光器的波长平方成反比，如果DVD使用GaN基短波长半导体激光器，则其光存储密度将比当前使用GaAs基半导体激光器的同类产品提高4－5倍，因此，宽禁带半导体技术还将成为光存储和处理的主流技术。 改善军事系统与装备性能。高温、高频、高功率微波器件是雷达、通信等军事领域急需的电子器件，如果目前使用的微波功率管输出功率密度提高一个数量级，微波器件的工作温度将提高到300℃，不仅将大大提高雷达（尤其是相控阵雷达）、通信、电子对抗以及智能武器等军事系统与装备的性能，而且将解决航天与航空用电子装备以及民用移动通信系统的一系列难题 半导体中的基本概念 半导体的晶格结构 硅、锗等半导体材料属于金刚石型结构 两个面心立方晶胞沿空间对角线长度套构而成 共价晶体 Ⅲ－Ⅴ族化合物绝大多数具有闪锌矿型结构 由两类原子各自组成的面心立方晶格，沿空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成 原子之间依靠共价键结合，但有一定的离子键成分 硫化锌、硒化锌、硫化镉、硒化镉等都可以闪锌矿和纤锌矿两种类型结晶 离子性占优，则倾向于构成纤锌矿结构 半导体中的能带 电子将可以在整个晶体中运动，称为电子的共有化运动 相似壳层间转移，最外层电子的共有化运动显著 绝缘体、半导体和导体的能带有区别 半导体中的杂质与缺陷能级 实际的半导体材料中,总是存在偏离理想情况 原子不是静止在具有严格周期性的晶格的格点位置上,而是在其平衡位置附近振动 半导体材料并不是纯净的,而是含有若干杂质 实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的,而是存在各种型式的缺陷 杂质半导体中以两种方式存在 位于晶格原子间的间隙位置，称为间隙杂质（杂质原子小） 取代晶格原子而位于晶格格点处，称为替位杂质（杂质、晶格原子大小相近） 通过施放电子而产生导电电子并形成正电中心，称为施主杂质 通过接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称为受主杂质 施主和受主杂质之间还会发生相互抵消的作用，称为杂质的补偿作用 半导体的光学性质 半导体的光吸收 本征吸收 激子吸收 自由载流子吸收 杂质吸收 晶格振动吸收 理想半导体在绝对零度时，价带是完全被电子占满的，因此价带内的电子不可能被激发到更高的能级。唯一有可能的吸收是足够能量的光子使电子激发，越过禁带跃迁入空的导带，而在价带中留下一个空穴，形成电子-空穴对。这种由带与带之间的跃迁所形成的吸收过程称为本征吸收。 显然，要发生本征吸收，光子能量必须等于或大于半导体的禁带宽度，即： hν ≥ hν0 = Eg hν0是能够引起本征吸收的最低限度光子能量。也就是说，在本征吸收光谱中，必然在低频方面存在一个频率界限ν0（或者在长波方面存在一个波长界限λ0）。当频率低于ν0或波长大于λ0时，不可能产生本征吸收，吸收系数将会迅速下降。这种吸收系数显著下降的特定波长λ0（或特定频率ν0），称为半导体的本征吸收限。根据半导体材料的不同的禁带宽度Eg，可算出相应的本征吸收长波限。 λ0 = 1.24(μm)/Eg(eV) 电子吸收光子的跃迁过程，除了能量必须守恒外，还必须满足动量守恒 hK’-hk=光子动量 直接跃迁与直接带隙半导体 间接跃迁与间接带隙半导体 直接跃迁的吸收光谱的计算推导如下