薄膜化学气相沉积6讲课.ppt

中南大学物理学院 在薄膜制备过程中，涉及到了化学反应，统称为化学法。 条 件：化学反应需要能量输入和诱发。 优、缺点：设备简单、成本较低、甚至无需真空环境即可进行； 工艺控制复杂、可能涉及高温环境。 中国在CVD技术生长高温超导体薄膜和CVD基础理论方面也取得了一些开创性成果。 1990年以来中国在激活低压CVD金刚石生长热力学方面，根据非平衡热力学原理,开拓了非平衡定态相图及其计算的新领域，第一次真正从理论和实验对比上定量化的证实反自发方向的反应可以通过热力学反应耦合依靠另一个自发反应提供的能量推动来完成。 随着激光的广泛应用，激光在气相沉积上也都得到利用，激光气相沉积(LCVD)通常分为热解LCVD和光解LCVD两类，主要用于激光光刻、大规模集成电路掩膜的修正以及激光蒸发-沉积。 此外，化学气相沉积制膜技术还有射频加热化学气相沉积(RF/CVD)、紫外光能量辅助化学气相沉积(UV/CVD)等其它新技术不断涌现。 为适应CVD技术的需要，选择原料、产物及反应类型等通常应满足以下几点基本要求： (1)反应剂在室温或不太高的温度下最好是气态或有较高的蒸气压而易于挥发成蒸汽的液态或固态物质，且有很高的纯度； (2)通过沉积反应易于生成所需要的材料沉积物，而其他副产物均易挥发而留在气相排出或易于分离； (3)反应易于控制。 2,CVD反应过程 在辉光放电的低温等离子体内，“电子气”的温度约比普通气体分子的平均温度高10～100倍，即当反应气体接近环境温度时，电子的能量足以使气体分子键断裂并导致化学活性粒子（活化分子、离子、原子等基团）的产生，使本来需要在高温下进行的化学反应由于反应气体的电激活而在相当低的温度下即可进行，也就是反应气体的化学键在低温下就可以被打开。所产生的活化分子、原子集团之间的相互反应最终沉积生成薄膜。 3. 气体控制系统 在CVD反应体系中使用多种气体，如原料气、氧化剂、还原剂等，为了制备优质薄膜、各种气体的配比应予以精确控制。 目前使用的监控元件主要由质量流量计和针形阀。 除了射频等离子体CVD，还有微波辅助PECVD,采用工业应用的2.45GHz的微波，波长约12cm，利用波导或天线将其能量耦合至CVD装置的等离子体中，微波电场与等离子体中的电子发生相互作用，使电子周期性地往复振荡，同时获得能量而加速，电子则不断与气体分子碰撞使之电离。应用较多的是ECRPECVD,即电子回旋共振等离子体CVD。电子回旋共振CVD可在较高的真空度下，使反应气体有极高的电离率，等离子体有极高的反应活性。ECRcvd具有极好的台阶覆盖能力，即使有深沟也可实现均匀覆盖，同时所制备的薄膜密度高，性能好，此外，还具有低压低温沉积、可控性好，沉积速率高，污染小等优点，广泛应用于二氧化硅、非晶硅薄膜的沉积以及各种薄膜的刻蚀等方面。 一种新的薄膜制备技术----原子层沉积技术 Atomic Layer Deposition(ALD) 原子层沉积（ALD）是一种真正的纳米技术，以精确控制的方式沉积几个纳米的超薄薄膜。 原子层沉积的两个限定性特征--自约束的原子逐层生长和高度保形镀膜--给半导体工程，微机电系统和其他纳米技术应用提供了许多好处。 原子层沉积是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处,但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。 原子层沉积的优点 因为原子层沉积工艺在每个周期内精确地沉积一个原子层，所以能够在纳米尺度上对沉积工艺进行完全控制 即使在非常高的纵横比和复杂结构的条件下，保形镀膜也能够实现 可实现无针孔和颗粒的沉积 很多种类的材料都可以采用原子层沉积: 氧化物：包括HfO2, HfSiO, Al2O3, Ta2O5, TiO2, La2O3, SiO2, ZnO 氮化物，包括TiN, TaN, AlN, SiNx, HfN 金属，包括Ru, Cu, W, Mo 2.LPCVD 低压化学气相沉积技术早在1962年Sandor等人就做了报道。 低压CVD的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的压强降低到大约100Torr(1Torr=133.332Pa) 下的一种CVD反应。 由于低压下分子平均自由程增加，气态反应物与副产品的传输速度加快，从而使形成沉积薄膜材料的反应速度加快，同时气体分布的不均匀性在很短时间内可以消除，所以能生长出厚度均匀的薄膜。具有沉积速率高，均匀性好，薄膜较为致密等优点。 3．PECVD 1. 什么是等离子体（Plasma）？ ? 以