薄膜物理与技术-12讲课.pptVIP

* * 7.6.2 分子动力学计算机模拟 假设沉积的气相球状原子或分子随机到达基体表面，然后它们—— 粘附在它们到达基体表面的位置上； 移动到三个原子支持的最小能量位置上。 但研究二维生长时，沉积原子是两点支持的圆。 若假设零迁移率，可模拟出松散聚集的链状结构薄膜，这种链状的分支和合并是随机的；若假设有限迁移率，可模拟出直径为几个分子尺度的从基体向外生长的树枝状结构。这种结构与实际的柱状结构类似。 在此基础上，发展了一种二维分子动力学模拟方法。 * 假设基体表面是没有任何缺陷的完美表面，在此表面上先紧密聚集原子层，每层有40个原子。与基体表面垂直的Z轴为薄膜生长方向。入射的原子或离子从基片上方垂直入射到基体上。基体温度Ts＝0℃。 编程计算进行模拟，得到上图： 分析：气相原子动能E较小——薄膜有较大的孔洞； 气相原子动能E较大——薄膜孔洞和晶粒间界都减少，薄膜表面比较平整、光滑。 * 基体上最初10个原子层的平均密度与入射动能的关系图： 动能小于0.5ε，真空蒸发区域； 动能大于0.5ε，阴极溅射区域。 引起差别的主要原因是吸附原子的迁移率与入射动能有关。 * 计算机还能模拟薄膜掺杂和离子辅助气相沉积过程。 通过计算机模拟离子辅助薄膜形成过程，可以帮助我们认识提高薄膜聚集密度的机理：增加了沉积原子的迁移率和轰击展平的机械过程。 （1）真空蒸发的Ti原子动能很小，0.1eV，形成的柱状结构明显； （2）50eV的Ar＋轰击，Ti原子迁移能量增加，孔洞显著减少； （3）50eV的Ti＋4轰击，二者质量相同，彼此吸引，使薄膜结构更加致密。 * 本章重点与难点 了解核形成理论 了解两种薄膜形成的计算机模拟方法 * 7.3 薄膜形成过程与生长模式 薄膜生长有三种模式，以岛状生长为主进行讨论。 在形成稳定核后，岛状薄膜的形成过程如图: * 1. 岛状阶段 透射电子显微镜观察到的最小核的尺寸为2～3nm。核进一步长大成小岛的过程中，平行于基片表面的生长速度大于垂直方向的生长速度。因为核的长大主要是由于基体表面吸附原子的扩散迁移碰撞结合。 对岛的形成可以用宏观物理量来判别。 因为0θ2π，所以cosθ1, 有 分析—若基体和薄膜不能形成合金，则σ10，所以σ2σ0，则上式满足。 薄膜和基体不能形成化合物的情况下，无论σ1怎样，可预想它按照三维岛状的方式生长。上式即判别条件。 * 对岛的形成也可以用微观物理量来判别。 吸附原子在基体表面上的吸附能Ead可以表为下式，S为原子的投影面积。 吸附原子之间的结合能Eb与核的表面自由能σ0有下面关系，Zc是核表面上空键的数目 将上二式带入上页判别表达式得: 当核与吸附原子间的结合能大于吸附原子与基体的结合能时，就可形成三维小岛。 * 2. 联并阶段 随着岛不断长大，岛间距离逐渐减小，最后相邻小岛可互相连接合并为一个大岛。小岛长大后，在基体表面占据的面积减小，表面能降低，基体表面空出的地方可以再次成核。 基体温度对岛的联并起着重要作用。 在联并过程中，新岛面积不断变化。最初，由于联并使基体表面上的覆盖面积减小，然后又逐渐增大。在联并初期，为了降低表面自由能，新岛的面积减小而高度增加。根据基体表面、小岛的表面与界面自由能的情况，小岛将有一个最低能量的形状，是具有一定高度与半径比的沟形。 * 3. 沟道阶段 在岛联并后，新岛进一步生长，形状变为圆形的趋势减小。当岛的分布达到临界状态互相凝结形成一种网状结构。这种结构中不规则的分布着宽度为几到几十纳米的沟渠。随着薄膜的继续沉积，沟渠会很快消除，薄膜变为有小孔洞的连续性结构，然后继续在孔洞处成核，整个薄膜连接在一起。 4. 连续膜阶段 在沟渠和孔洞消除后，入射到基体表面上的气相原子就直接吸附在薄膜上，通过联并作用形成不同结构的薄膜。薄膜的晶粒尺寸取决于核或岛联并时的再结晶过程，不取决于初始核的密度。 * 7.3.1 奥斯瓦尔多吞并过程 衬底表面存在两个不同大小的岛，它们之间并不直接接触。简单考虑，认为它们近似为球状，球的半径分别为r1和r2,两个球的表面自由能分别为Gs＝4πri2γ（i＝1,2）。两个岛分别含有的原子数为 其中，Ω代表一个原子的体积，由上面的条件可以求出岛中每增加一个原子引起的表面自由能增加为 由化学位定义，可写出每个原子的自由能 岛相互合并的三种机制：吸收单个的气相原子或核心之间相互吞并联合。 * 得到表征不同半径晶核中原子活度的吉布斯－汤姆森关系 其中，a∞相当于无穷大的原子团中原子的活度值。此公式表明，较小的核心中的原子将具有较高的活度，所以其平衡蒸汽压也将较高。所以，当两个尺寸大小不同的核心相邻的时候，尺寸小的核心中的原