2半导体中载流子的统计分布浅析.pptVIP

多子：n型半导体中的电子 p型半导体中的空穴 少子：n型半导体中的空穴 p型半导体中的电子 强电离情况下，少子的浓度： (1)n型半导体 多子浓度为nn0＝ND。而nn0 pn0＝ni2，所以少子浓度 (2)p型半导体 多子浓度为pn0＝NA。而nn0 pn0＝ni2，所以少子浓度 由n型和p型半导体少子浓度可知，少子浓度与ni的平方 成正比，而与多子浓度成反比，而 ，故少 子浓度随温度的升高迅速增大。 1，极低温时，N’C很小，而NA很大， N’C NA,，有 低温弱电离区时，n0与(ND-NA)、NC成正比，与T成指数关系 由n0公式有： A，NDNA，若ND-NA2NA，则EFED B，当T 0K，EF ED 2，在低温下，但施主浓度ND比受主浓度NA大很多，即NAN’CND，有 A，ND2NC时，EF在ED和EC之间的中线以下 B，ND2NC时，EF位于ED和EC之间的中线以上 不同掺杂情况下的费米能级 电子填充水平最低，EF最低 强p型 弱p型 本征 弱n型 强n型 过渡区 导带电子来源于全部杂质电离和部分本征激发 强电离（饱和） 导带电子浓度等于施主浓度 高温本征激发区 n0ND p0ND 同上 中间电离 导带电子从施主电离产生 p0=0 n0= 弱电离 导带电子从施主电离产生 费米能级 载流子浓度 电中性 特征 4.少数载流子浓度 3.5 一般情况下的载流子统计分布 1,一般情况下的电中性条件 单位体积中含： 导带电子电荷：-nq 价带空穴电荷：+pq 电离施主电荷：+nD+q 电离受主电荷：-pA-q 则单位体积中净电荷密度为： 热平衡状态时，有： 而半导体均匀分布，处处都是电中性，故 讨论含少量受主杂质的n型半导体，即NDNA (1)温度很低，施主杂质电离很弱 Ec ED 施主 受主 Ev EA 1，温度很低，本征激发可以忽略，有p0=0 2，施主未完全电离，半导体在低温弱电离区， EF在ED附近，而EFEA，所以受主完全电离，则PA＝0 由电中性条件： 而p0=0，PA＝0，故低温条件下电中性条件为： 意义： 施主能级上的电子： 一部分用于填充受主能级 一部分被激发到导带中 还有一部分留在施主能级上 讨论： (2)温度升高，施主电离程度增加 导带电子数增加，若受主杂质很少，即NAND，则若n0NA，NA就可忽略，与前一节情况相同。 即，若有少量受主存在，当温度升高到杂质弱电离区外时，受主杂质影响可以忽略。 Ec ED 施主 受主 Ev EA (3)温度升高到EF在ED之下，且满足ED-EFk0T时，施主杂质全部电离，则nD=0 而 1，若受主杂质很少，即NAND，则n0=ND 2，若受主杂质较多，不能忽略，则n0=ND-NA，杂质的补偿作用，n0与温度无关，半导体进入饱和区 (4)温度继续升高，当n0=ND-NA与ni相近时，本征激发不可忽略，PA＝0，p0≠0，nD=0 由电中性条件 有， 而n0p0=ni2，有 3.6 简并半导体 费米能级进入导带（或价带）的情况（重掺杂条件下） 一般情况下：NDNc或者(ND－NA) Nc, EF在Ec下 在ND≥Nc时：EF与Ec重合或在之上，进入导带 饱和区 说明n型掺杂水平高，导带底附近的量子态基本上已被电子占据 导带中电子数目很多，f(E)远小于1的 玻耳兹曼分布不成立 考虑泡利不相容原理的作用 不能用玻耳兹曼分布，必须用费米分布 载流子的简并化 同理可以讨论价带 1.简并半导体载流子浓度 费米积分 导带电子浓度用费米分布来计算 ： Ec=EF时，n0值已有显著差别 2.简并化条件 以EF与Ec的相对位置区分， 并作为简并化与非简并化的条件 以含一种施主杂质的n型半导体为例，讨论杂质浓度为多少时发生简并？ 讨论 括号内最小值为3，故ND必定是接近或者大于Nc，发生简并；若NDNc，半导体为非简并。 发生简并时的ND与△ED有关，△ED↓，则杂质浓度较小时就会发生简并。 将 代入上式，可知对一定△ED和ND，T有2个解T1、T2，杂质浓度越大，发生简并的温度范围越宽。 即发生简并化有一个温度范围。 3.低温载流子冻析效应 温度很低时，杂质只有部分电离，还有部分载流子被冻析在杂质能级上，对导电没有贡献，这种现象称为低温载流子冻析效应 设硅中只含一种杂质，计算电离杂质浓度: 此时硅中掺杂浓度较高，载流子处于简并状态，则导带电子浓度n0 而此时的电中性条件为： 讨论: EF约在禁带中线附近 1.5k0T范围内 本征半导体费米能级Ei基本