6_俄歇电子能谱_680304978讲述.pptVIP

俄歇电子能谱的应用－Element Mapping Results of Auger mapping of Cu-Ag-Sn-Bi-based solder.（accelerating voltage: 10 keV, probe current: 10 nA) 通过选择某一个特定的俄歇峰，然后让电子束在表面上进行扫描，就可以获得元素在表面上的分布情况。又称“俄歇图象”。 俄歇电子能谱的应用－Element Mapping Steel Fracture SurfaceSecondary electron image, 10,000X Auger Images - Fe, Sb, CrAES identified the composition of grain boundary particles to be Sb and Cr. These phases resulted in the embrittlement of an aged steel rotor 俄歇电子能谱的应用－Depth Profile 俄歇电子能谱的应用－Depth Profile Scanning Auger microscopy depth profile of passivated stainless steel X射线能谱－EDS 当电子束照射到材料表面上，在内层产生电子空位后，填充该空位的另一种方式－辐射，即可产生特征X射线。特征X射线带有材料的特征信息。通过对这些X射线的分析，即可对材料进行定性和定量分析。 K L1 L2 L3 真空能级 K L1 L2 L3 真空能级 俄歇过程 h? 辐射跃迁过程 X射线能谱－EDS X射线能谱－EDS 下周实验安排 （11月27日）AES 实验。 时间地点，咨询助教。 内容回顾 X－光反射：薄膜的厚度、密度、粗糙度等信息 红外和喇曼光谱：分子振动光谱，分子结构信息。 XPS：材料的化学结构、成分等 LEED：材料的表面（晶体）结构、吸附等特性 RHEED：材料的表面（晶体）结构、形貌等 AES＋EDS：材料的化学结构、成分等 RBS：（厚）薄膜材料的密度、厚度、成分等C-RBS: 原子的添隙位置，晶体性的好坏等SIMS： 材料的成分等 本节内容 俄歇电子能谱： Auger Electron Spectroscopy，简称为AES。 根据俄歇电子的能量确定：表面存在的元素种类根据俄歇电子的数量确定：元素在表面的含量。 电子束（可以聚焦得很细）在表面扫描，得到元素在表面上的分布；利用离子束溅射，可以得到元素沿着深度的分布；不同化学环境下的元素AES谱不同，可以得到化学结构信息。 俄歇电子能谱进行表面分析只有几十年的历史，但是发展迅速。三种重要表面分析手段 俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和二次离子质谱仪。 X射线光电子谱：对表面损伤最小，从化学位移获取丰富化学信息 二次离子质谱仪：灵敏度非常高，可以测量H、He等。 俄歇电子能谱： 很高的微区分析能力、深度与横向分辨能力。 俄歇效应 样品受到一定能量的电子束辐照后，发射出俄歇电子，被探测器收集后经过计算机处理，得到该样品的AES能谱图。 输入电子 输出电子 电子能谱：俄歇电子的数量按照能量的分布 俄歇效应 对于一个多电子的原子，考虑自旋－轨道耦合后，电子的状态可以通过n，l，j，mj四个量子数描述。其中，n：主量子数；l：角量子数；j是自旋和轨道合成后的总角动量量子数；mj：由j确定的量子数。 由左式知道，对应于同一个n，l，j数值，mj可以取2j＋1个数值。每个状态可以填充1个电子（？）所以，共可以填充2j＋1个电子。 n 1 2 3 l 0 0 1 0 1 2 j ? ? ? 3/2 ? ? 3/2 3/2 5/2 电子数 2 2 2 4 2 2 4 4 6 符号 K L1 L2 L3 M1 M2 M3 M4 M5 俄歇效应 真空能级与电子所处能级的能量差，或者说电子所处能级能量的相反数，近似就是电子的结合能（？）。 如果原子内层由于某种原因失去了一个电子，则产